恭喜華為技術有限公司;復旦大學申小龍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華為技術有限公司;復旦大學申請的專利隨機數生成裝置和方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112748901B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201911063067.9,技術領域涉及:G06F7/58;該發明授權隨機數生成裝置和方法是由申小龍;閆鑫;趙俊峰;薛曉勇;唐文濤設計研發完成,并于2019-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本隨機數生成裝置和方法在說明書摘要公布了:本申請公開了一種隨機數生成裝置和方法,涉及硬件加密領域,用于穩定地產生隨機數。隨機數生成裝置,包括:第一物理不可克隆函數PUF計算模塊,包括第一阻變式隨機存取存儲器RRAM器件和第二RRAM器件,第一RRAM器件和第二RRAM器件的初始狀態為高阻態;自適應分離電路,分別連接第一RRAM器件和第二RRAM器件,并用于向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加寫電壓,以及,當檢測到第一RRAM器件從高阻態切換到低阻態時,停止向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加寫電壓;讀電路,分別連接第一RRAM器件和第二RRAM器件,并用于根據第一RRAM器件的低阻態以及第二RRAM器件的阻態的差值獲得第一隨機數,其中,第二RRAM器件的阻態高于第一RRAM器件的低阻態。
本發明授權隨機數生成裝置和方法在權利要求書中公布了:1.一種隨機數生成裝置,其特征在于,包括:第一物理不可克隆函數PUF計算模塊,包括第一阻變式隨機存取存儲器RRAM器件和第二RRAM器件,所述第一RRAM器件和所述第二RRAM器件的初始狀態為高阻態;所述第一RRAM器件包括第一字線端和第一位線端,所述第二RRAM器件包括第二字線端和第二位線端,所述第一字線端和所述第二字線端連接至同一字線,所述第一位線端連接至第一位線,所述第二位線端連接至第二位線;所述字線用于選通所述第一PUF計算模塊;第二PUF計算模塊,包括第三RRAM器件和第四RRAM器件,所述第三RRAM器件和所述第四RRAM器件的初始狀態為高阻態;所述第三RRAM器件包括第三字線端和第三位線端,所述第四RRAM器件包括第四字線端和第四位線端,所述第三字線端和所述第四字線端連接至同一字線,所述第三位線端連接至所述第二位線,所述第四位線端連接至所述第一位線;所述字線還用于選通所述第二PUF計算模塊;所述第一PUF計算模塊和所述第二PUF計算模塊為相鄰PUF計算模塊,所述第一RRAM器件位于遠離所述第二PUF計算模塊的一側,所述第二RRAM器件位于靠近所述第二PUF計算模塊的一側,所述第三RRAM器件位于靠近所述第一PUF計算模塊的一側,所述第四RRAM器件位于遠離所述第一PUF計算模塊的一側;自適應分離電路,通過所述第一位線連接所述第一RRAM器件和所述第四RRAM器件,并通過所述第二位線連接所述第二RRAM器件和所述第三RRAM器件;并用于向所述第一RRAM器件和所述第二RRAM器件施加寫電壓,以及,當檢測到所述第一RRAM器件從所述高阻態切換到低阻態時,停止向所述第一RRAM器件和所述第二RRAM器件施加所述寫電壓;或者,向所述第三RRAM器件和所述第四RRAM器件施加寫電壓,以及,當檢測到所述第三RRAM器件從所述高阻態切換到低阻態時,停止向所述第三RRAM器件和所述第四RRAM器件施加所述寫電壓;讀電路,通過所述第一位線連接所述第一RRAM器件和所述第四RRAM器件,并通過所述第二位線連接所述第二RRAM器件和所述第三RRAM器件,并用于根據所述第一位線的電平和所述第二位線的電平獲得所述第一PUF計算模塊產生的第一隨機數,或所述第二PUF計算模塊產生的第二隨機數。
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