恭喜華為技術有限公司李珩獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華為技術有限公司申請的專利一種多芯片堆疊封裝及制作方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114450785B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201980100933.9,技術領域涉及:H01L23/48;該發明授權一種多芯片堆疊封裝及制作方法是由李珩;張曉東;王思敏;戚曉蕓;王正波;牛瑞;伍青青設計研發完成,并于2019-11-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種多芯片堆疊封裝及制作方法在說明書摘要公布了:一種多芯片堆疊封裝及制作方法,涉及芯片技術領域,能夠解決多芯片的應力集中問題,能夠以進行更多層芯片的堆疊。該多芯片堆疊封裝包括:沿第一方向堆疊設置的第一芯片101和第二芯片102,其中所述第一芯片101內沿所述第一方向開設有第一導電通孔31,所述第二芯片102內沿所述第一方向開設有第二導電通孔32;設置于所述第一芯片101和所述第二芯片102之間的第一再布線層21,且所述第一再布線層21的兩側分別與所述第一芯片101的表面和所述第二芯片102的表面固定,其中所述第一導電通孔31和所述第二導電通孔32通過所述第一再布線層21導通,所述第一導電通孔31和所述第二導電通孔32錯開設置。所述多芯片堆疊封裝及制作方法用于芯片的制造。
本發明授權一種多芯片堆疊封裝及制作方法在權利要求書中公布了:1.一種多芯片堆疊封裝,其特征在于,包括:沿第一方向堆疊設置的第一芯片和第二芯片,所述第一芯片和所述第二芯片分別包括無源層和有源層,其中所述第一芯片內沿所述第一方向開設有第一導電通孔,所述第二芯片內沿所述第一方向開設有第二導電通孔,所述第一導電通孔貫穿所述第一芯片的所述無源層和所述有源層,所述第二導電通孔貫穿所述第二芯片的所述無源層和所述有源層;設置于所述第一芯片和所述第二芯片之間的第一再布線層,且所述第一再布線層的兩側分別與所述第一芯片的表面和所述第二芯片的表面固定,其中所述第一導電通孔和所述第二導電通孔通過所述第一再布線層導通,所述第一導電通孔和所述第二導電通孔錯開設置;所述第一芯片內設有多個第一導電通孔,所述多個第一導電通孔均勻間隔排列;所述第二芯片內設有多個第二導電通孔,所述多個第二導電通孔均勻間隔排列。
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