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龍圖騰網(wǎng)恭喜華為技術(shù)有限公司申請的專利一種多芯片堆疊封裝及制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114450785B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980100933.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/48；該發(fā)明授權(quán)一種多芯片堆疊封裝及制作方法是由李珩;張曉東;王思敏;戚曉蕓;王正波;牛瑞;伍青青設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-11-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種多芯片堆疊封裝及制作方法在說明書摘要公布了：一種多芯片堆疊封裝及制作方法，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，能夠解決多芯片的應(yīng)力集中問題，能夠以進行更多層芯片的堆疊。該多芯片堆疊封裝包括：沿第一方向堆疊設(shè)置的第一芯片101和第二芯片102，其中所述第一芯片101內(nèi)沿所述第一方向開設(shè)有第一導(dǎo)電通孔31，所述第二芯片102內(nèi)沿所述第一方向開設(shè)有第二導(dǎo)電通孔32；設(shè)置于所述第一芯片101和所述第二芯片102之間的第一再布線層21，且所述第一再布線層21的兩側(cè)分別與所述第一芯片101的表面和所述第二芯片102的表面固定，其中所述第一導(dǎo)電通孔31和所述第二導(dǎo)電通孔32通過所述第一再布線層21導(dǎo)通，所述第一導(dǎo)電通孔31和所述第二導(dǎo)電通孔32錯開設(shè)置。所述多芯片堆疊封裝及制作方法用于芯片的制造。

本發(fā)明授權(quán)一種多芯片堆疊封裝及制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多芯片堆疊封裝，其特征在于，包括：沿第一方向堆疊設(shè)置的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片分別包括無源層和有源層，其中所述第一芯片內(nèi)沿所述第一方向開設(shè)有第一導(dǎo)電通孔，所述第二芯片內(nèi)沿所述第一方向開設(shè)有第二導(dǎo)電通孔，所述第一導(dǎo)電通孔貫穿所述第一芯片的所述無源層和所述有源層，所述第二導(dǎo)電通孔貫穿所述第二芯片的所述無源層和所述有源層；設(shè)置于所述第一芯片和所述第二芯片之間的第一再布線層，且所述第一再布線層的兩側(cè)分別與所述第一芯片的表面和所述第二芯片的表面固定，其中所述第一導(dǎo)電通孔和所述第二導(dǎo)電通孔通過所述第一再布線層導(dǎo)通，所述第一導(dǎo)電通孔和所述第二導(dǎo)電通孔錯開設(shè)置；所述第一芯片內(nèi)設(shè)有多個第一導(dǎo)電通孔，所述多個第一導(dǎo)電通孔均勻間隔排列；所述第二芯片內(nèi)設(shè)有多個第二導(dǎo)電通孔，所述多個第二導(dǎo)電通孔均勻間隔排列。

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