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龍圖騰網(wǎng)恭喜瑪格特拉公司申請(qǐng)的專利可調(diào)式多層太赫茲磁振子發(fā)生器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113491042B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080016918.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S1/02；該發(fā)明授權(quán)可調(diào)式多層太赫茲磁振子發(fā)生器是由B·G·坦克希列維奇;N·J·基什內(nèi)爾;C·T·瑟曼設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-01-09向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本可調(diào)式多層太赫茲磁振子發(fā)生器在說明書摘要公布了：提供一種用于調(diào)諧太赫茲輻射的頻率的方法。該方法利用一設(shè)備，該設(shè)備包括自旋注入器、耦合至該自旋注入器的穿隧結(jié)、以及耦合至該穿隧結(jié)的鐵磁材料。該鐵磁材料包括磁振子增益介質(zhì)MGM。該方法包括施加偏置電壓以將該自旋注入器的費(fèi)米能級(jí)相對(duì)于該鐵磁材料的費(fèi)米能級(jí)移位，以通過將少數(shù)電子注入磁振子增益介質(zhì)來開始非平衡磁振子的產(chǎn)生的步驟。該方法還包括通過改變?cè)撈秒妷旱闹祦碚{(diào)諧所產(chǎn)生的太赫茲輻射的頻率。

本發(fā)明授權(quán)可調(diào)式多層太赫茲磁振子發(fā)生器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于產(chǎn)生可調(diào)諧太赫茲輻射的設(shè)備，包括：自旋注入器；所述自旋注入器包括具有自旋向下的少數(shù)電子的源；穿隧結(jié)，耦合至所述自旋注入器；以及底層，還包括耦合至所述穿隧結(jié)的鐵磁材料；所述鐵磁材料包含磁振子增益介質(zhì)；所述鐵磁材料還包括：導(dǎo)帶，通過交換能隙被分成兩個(gè)子帶，第一子帶具有沿著所述鐵磁材料的磁化強(qiáng)度而定向的自旋向上；以及第二子帶具有相反于所述鐵磁材料的該磁化強(qiáng)度而定向的自旋向下；其中，具有自旋向上的多數(shù)電子位于具有自旋向上的所述第一子帶中；頂部電極；參考層；以及釘扎層，包括Ruderman–Kittel–Kasuya–Yosida非磁性釘扎層，并耦合到所述參考層，其中，所述自旋注入器通過所述釘扎層耦合到所述頂部電極；其中，在偏置電壓施加到所述自旋注入器之后，通過所述穿隧結(jié)穿隧，將具有自旋向下的所述少數(shù)電子從所述自旋注入器注入到所述磁振子增益介質(zhì)中；以及其中，施加的所述偏置電壓配置成相對(duì)于所述鐵磁材料的費(fèi)米能級(jí)而移位所述自旋注入器的費(fèi)米能級(jí)。

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