恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司連建洲獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利鰭式場效應晶體管器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112687544B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010180124.8，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權鰭式場效應晶體管器件及其形成方法是由連建洲;林群能;陳玠瑋;江子昂;葉明熙設計研發完成，并于2020-03-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本鰭式場效應晶體管器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及鰭式場效應晶體管器件及其形成方法。一種形成半導體器件的方法包括：用電介質材料圍繞設置在鰭上方的虛設柵極；通過去除虛設柵極并通過去除沿虛設柵極的側壁設置的第一柵極間隔件的上部來在電介質材料中形成柵極溝槽，該柵極溝槽包括位于第一柵極間隔件的剩余下部之間的下溝槽，并且包括位于下溝槽上方的上溝槽；在柵極溝槽中依次形成柵極電介質層、功函數層和膠層；從上溝槽中去除膠層和功函數層；在去除之后，用柵極電極材料填充柵極溝槽；以及從上溝槽中去除柵極電極材料，柵極電極材料的剩余部分形成柵極電極。
本發明授權鰭式場效應晶體管器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：用電介質材料圍繞設置在鰭上方的虛設柵極；通過去除所述虛設柵極并通過去除沿所述虛設柵極的側壁設置的第一柵極間隔件的上部來在所述電介質材料中形成柵極溝槽，所述柵極溝槽包括位于所述第一柵極間隔件的剩余下部之間的下溝槽，并且包括位于所述下溝槽上方的上溝槽；在所述柵極溝槽中依次形成柵極電介質層、功函數層和膠層；從所述上溝槽中去除所述膠層和所述功函數層，其中從所述上溝槽中去除所述膠層和所述功函數層暴露所述柵極電介質層的設置在所述上溝槽中的上部；在從所述上溝槽中去除所述膠層和所述功函數層之后，在所述柵極溝槽中并且在所述柵極電介質層的經暴露的上部上再次形成所述膠層；在所述再次形成所述膠層之后，用柵極電極材料填充所述柵極溝槽；以及從所述上溝槽中去除所述柵極電極材料，所述柵極電極材料的剩余部分形成柵極電極。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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