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龍圖騰網恭喜深圳技術大學申請的專利一種CMOS整流電路及植入式器械獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111355391B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010288242.0，技術領域涉及：H02M7/217；該發明授權一種CMOS整流電路及植入式器械是由張金勇;梅逢城;徐淵;曹建民設計研發完成，并于2020-04-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種CMOS整流電路及植入式器械在說明書摘要公布了：本發明實施例提供了一種CMOS整流電路，包括：電路輸入端；電路輸出端；負載電容，所述負載電容分別與所述輸入端以及輸出端連接；第一PMOS功率管、第二PMOS功率管；第一NMOS功率管、第二NMOS功率管；第一比較器電路、第二比較器電路；第一動態偏置電路以及第二動態偏置電路；第一反相器以及第二反相器；其中，第一PMOS功率管的柵極與第一比較器電路連接，第二PMOS功率管的柵極與第二比較器電路連接；第一動態偏置電路與第一比較電路連接；第二動態偏置電路與所述第二比較電路連接；所述第一NMOS功率管與第二NMOS功率管柵極交叉連接；其中第一NMOS功率管的柵極與第二反相器的輸出后端連接；第二NMOS功率管的柵極與第一反相器的輸出后端連接。本發明實施例還提供了一種植入式器械。

本發明授權一種CMOS整流電路及植入式器械在權利要求書中公布了：1.一種CMOS整流電路，其特征在于，包括：電路輸入端；電路輸出端；負載電容，所述負載電容分別與所述輸入端以及輸出端連接；第一PMOS功率管、第二PMOS功率管；第一NMOS功率管、第二NMOS功率管；第一比較器電路、第二比較器電路；第一動態偏置電路以及第二動態偏置電路；第一反相器以及第二反相器；其中，第一PMOS功率管的柵極與第一比較器電路連接，第一比較器電路的正輸入端與所述電路輸出端的正端連接，第一比較器電路的負輸入端與所述電路輸入端的正端連接；第二PMOS功率管的柵極與第二比較器電路連接，所述第二比較器電路的正輸入端與所述電路輸出端的正端連接，所述第二比較器電路的負輸入端與所述電路輸出端的負端連接；第一動態偏置電路與第一比較器電路連接；第二動態偏置電路與所述第二比較器電路連接；所述第一NMOS功率管與第二NMOS功率管柵極交叉連接；其中第一NMOS功率管的柵極與第二反相器的輸出后端連接，所述第二反相器與第二比較器電路連接；第二NMOS功率管的柵極與第一反相器的輸出后端連接，所述第一反相器與第一比較器電路連接；第一動態偏置電路或所述第二動態偏置電路為PMOS型襯底動態偏置電路；所述第一比較器電路或第二比較器電路包括：二級放大器電路、自偏置電路和反相器輸出波形整形電路。

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