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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳技術(shù)大學(xué)申請(qǐng)的專利一種CMOS整流電路及植入式器械獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111355391B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010288242.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M7/217；該發(fā)明授權(quán)一種CMOS整流電路及植入式器械是由張金勇;梅逢城;徐淵;曹建民設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-04-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種CMOS整流電路及植入式器械在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明實(shí)施例提供了一種CMOS整流電路，包括：電路輸入端；電路輸出端；負(fù)載電容，所述負(fù)載電容分別與所述輸入端以及輸出端連接；第一PMOS功率管、第二PMOS功率管；第一NMOS功率管、第二NMOS功率管；第一比較器電路、第二比較器電路；第一動(dòng)態(tài)偏置電路以及第二動(dòng)態(tài)偏置電路；第一反相器以及第二反相器；其中，第一PMOS功率管的柵極與第一比較器電路連接，第二PMOS功率管的柵極與第二比較器電路連接；第一動(dòng)態(tài)偏置電路與第一比較電路連接；第二動(dòng)態(tài)偏置電路與所述第二比較電路連接；所述第一NMOS功率管與第二NMOS功率管柵極交叉連接；其中第一NMOS功率管的柵極與第二反相器的輸出后端連接；第二NMOS功率管的柵極與第一反相器的輸出后端連接。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種植入式器械。

本發(fā)明授權(quán)一種CMOS整流電路及植入式器械在權(quán)利要求書中公布了：1.一種CMOS整流電路，其特征在于，包括：電路輸入端；電路輸出端；負(fù)載電容，所述負(fù)載電容分別與所述輸入端以及輸出端連接；第一PMOS功率管、第二PMOS功率管；第一NMOS功率管、第二NMOS功率管；第一比較器電路、第二比較器電路；第一動(dòng)態(tài)偏置電路以及第二動(dòng)態(tài)偏置電路；第一反相器以及第二反相器；其中，第一PMOS功率管的柵極與第一比較器電路連接，第一比較器電路的正輸入端與所述電路輸出端的正端連接，第一比較器電路的負(fù)輸入端與所述電路輸入端的正端連接；第二PMOS功率管的柵極與第二比較器電路連接，所述第二比較器電路的正輸入端與所述電路輸出端的正端連接，所述第二比較器電路的負(fù)輸入端與所述電路輸出端的負(fù)端連接；第一動(dòng)態(tài)偏置電路與第一比較器電路連接；第二動(dòng)態(tài)偏置電路與所述第二比較器電路連接；所述第一NMOS功率管與第二NMOS功率管柵極交叉連接；其中第一NMOS功率管的柵極與第二反相器的輸出后端連接，所述第二反相器與第二比較器電路連接；第二NMOS功率管的柵極與第一反相器的輸出后端連接，所述第一反相器與第一比較器電路連接；第一動(dòng)態(tài)偏置電路或所述第二動(dòng)態(tài)偏置電路為PMOS型襯底動(dòng)態(tài)偏置電路；所述第一比較器電路或第二比較器電路包括：二級(jí)放大器電路、自偏置電路和反相器輸出波形整形電路。

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