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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利用于補償射頻功率損耗的系統和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114008749B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080045167.3，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權用于補償射頻功率損耗的系統和方法是由馬修·丹尼斯·埃文斯;克里斯托弗·艾迪生·弗勞爾斯;約翰·德魯厄里設計研發完成，并于2020-05-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于補償射頻功率損耗的系統和方法在說明書摘要公布了：描述了用于補償射頻RF功率損耗的系統和方法。方法中的一種包括進行無等離子體測試以確定與阻抗匹配電路的輸出相關聯的電阻。在進行無等離子體測試之后，在等離子體室中處理襯底。在襯底處理期間，確定與阻抗匹配電路的輸出相關的功率損耗。功率損耗用于確定要由RF發生器輸送的功率量。調整輸送的功率量，直到功率損耗穩定。功率損耗的穩定有利于等離子體室中襯底和附加襯底的均勻處理。

本發明授權用于補償射頻功率損耗的系統和方法在權利要求書中公布了：1.一種用于補償射頻RF功率損耗的方法，其包括：獲得與等離子體系統的部件相關聯的多個參數的多個測量值；根據所述多個參數的所述多個測量值確定與所述等離子體系統的所述部件相關聯的電阻；獲得與所述等離子體系統的所述部件相關聯的所述多個參數中的一個參數的第一值；根據所述電阻和所述多個參數中的所述一個參數的所述第一值確定與所述等離子體系統的所述部件相關聯的第一RF功率損耗量；基于所述第一RF功率損耗量調整RF發生器的操作設定點，其中執行基于所述第一RF功率損耗量調整所述RF發生器的操作設定點以控制所述RF發生器在第二設定點操作；獲得與所述等離子體系統的所述部件相關聯的所述多個參數中的所述一個參數的第二值；根據所述電阻和所述多個參數中的所述一個參數的所述第二值確定第二RF功率損耗量；以及基于所述第二RF功率損耗量調整所述RF發生器的所述操作設定點，其中，執行所述基于所述第二RF功率損耗量調整所述RF發生器的所述操作設定點以控制所述RF發生器在第三設定點操作，其中，基于所述第一RF功率損耗量和所述第二RF功率損耗量來調整所述操作設定點以補償RF功率損耗。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。