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龍圖騰網恭喜中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司申請的專利一種測試元件組及其測試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115083501B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110275054.9，技術領域涉及：G11C29/12；該發明授權一種測試元件組及其測試方法是由孫永載;楊紅;楊濤;李俊杰;王文武;羅軍設計研發完成，并于2021-03-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種測試元件組及其測試方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種測試元件組及測試方法，通過將設計于存儲器中的位線感測放大器的電路結構復制到測試元件組中，并將每一位線感測放大器中用于連接位線和參考位線的端子分別作為測試端的同時，將用于連接位線的端子合并起來連接到一電壓輸入線，將用于連接參考位線的端子合并起來連接到另一電壓輸入線，從而通過向兩條電壓輸入線同時輸入電源電壓或接地電壓，以選擇性測量各個位線感測放大器在兩種輸入情況下的電流。由于位線感測放大器是影響存儲器讀寫速度的主要電路，因此測量的電流分布可以反映存儲器的局部差異數據，由這些局部差異數據可以對半導體存儲器器件的讀寫速度進行評估。

本發明授權一種測試元件組及其測試方法在權利要求書中公布了：1.一種測試元件組，其特征在于，所述測試元件組包括：位線感測放大器陣列，所述位線感測放大器陣列中每一位線測放大器均包括第一測試端、第二測試端和選擇端；每一所述位線感測放大器的第一測試端均與第一電壓輸入線電連接，且每一所述位線感測放大器的第二測試端均與第二電壓輸入線電連接；其中，所述位線感測放大器陣列與半導體存儲器器件中的位線感測放大器電路結構一致，且每一所述位線感測放大器的第一測試端和第二測試端在半導體存儲器器件中分別用于與位線和參考位線連接，以及選擇端用于與位線選擇端連接；每一所述位線感測放大器還包括第一節點、第二節點、第一反相器和第二反相器；所述第一反相器包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管與所述第二晶體管的漏極相連接且均連接到所述第一節點，以及所述第一晶體管與所述第二晶體管的柵極相連接且均連接到所述第二節點；所述第二反相器包括第三晶體管和第四晶體管，所述第三晶體管與所述第四晶體管的漏極相連接且均連接到所述第二節點，以及所述第三晶體管與所述第四晶體管的柵極相連接且均連接到所述第一節點；所述第一晶體管和所述第三晶體管的源極均連接到所述第一節點，所述第二晶體管和所述第四晶體管的源極均連接到所述第二節點；其中，所述第一節點用于連接電源電壓VDD端，所述第二節點用于連接接地VSS端；所述位線感測放大器還包括第五晶體管和第六晶體管；所述第五晶體管和所述第六晶體管的柵極相連接且均連接到所述選擇端；所述第五晶體管的通道第一端連接所述第一測試端，以及所述第五晶體管的通道第二端連接所述第一節點；所述第六晶體管的通道第一端連接所述第二測試端，以及所述第六晶體管的通道第二端連接所述第二節點。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。