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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導(dǎo)體有限責任公司申請的專利一種測試元件組及其測試方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115083501B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110275054.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C29/12；該發(fā)明授權(quán)一種測試元件組及其測試方法是由孫永載;楊紅;楊濤;李俊杰;王文武;羅軍設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-03-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種測試元件組及其測試方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種測試元件組及測試方法，通過將設(shè)計于存儲器中的位線感測放大器的電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到測試元件組中，并將每一位線感測放大器中用于連接位線和參考位線的端子分別作為測試端的同時，將用于連接位線的端子合并起來連接到一電壓輸入線，將用于連接參考位線的端子合并起來連接到另一電壓輸入線，從而通過向兩條電壓輸入線同時輸入電源電壓或接地電壓，以選擇性測量各個位線感測放大器在兩種輸入情況下的電流。由于位線感測放大器是影響存儲器讀寫速度的主要電路，因此測量的電流分布可以反映存儲器的局部差異數(shù)據(jù)，由這些局部差異數(shù)據(jù)可以對半導(dǎo)體存儲器器件的讀寫速度進行評估。

本發(fā)明授權(quán)一種測試元件組及其測試方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種測試元件組，其特征在于，所述測試元件組包括：位線感測放大器陣列，所述位線感測放大器陣列中每一位線測放大器均包括第一測試端、第二測試端和選擇端；每一所述位線感測放大器的第一測試端均與第一電壓輸入線電連接，且每一所述位線感測放大器的第二測試端均與第二電壓輸入線電連接；其中，所述位線感測放大器陣列與半導(dǎo)體存儲器器件中的位線感測放大器電路結(jié)構(gòu)一致，且每一所述位線感測放大器的第一測試端和第二測試端在半導(dǎo)體存儲器器件中分別用于與位線和參考位線連接，以及選擇端用于與位線選擇端連接；每一所述位線感測放大器還包括第一節(jié)點、第二節(jié)點、第一反相器和第二反相器；所述第一反相器包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管與所述第二晶體管的漏極相連接且均連接到所述第一節(jié)點，以及所述第一晶體管與所述第二晶體管的柵極相連接且均連接到所述第二節(jié)點；所述第二反相器包括第三晶體管和第四晶體管，所述第三晶體管與所述第四晶體管的漏極相連接且均連接到所述第二節(jié)點，以及所述第三晶體管與所述第四晶體管的柵極相連接且均連接到所述第一節(jié)點；所述第一晶體管和所述第三晶體管的源極均連接到所述第一節(jié)點，所述第二晶體管和所述第四晶體管的源極均連接到所述第二節(jié)點；其中，所述第一節(jié)點用于連接電源電壓VDD端，所述第二節(jié)點用于連接接地VSS端；所述位線感測放大器還包括第五晶體管和第六晶體管；所述第五晶體管和所述第六晶體管的柵極相連接且均連接到所述選擇端；所述第五晶體管的通道第一端連接所述第一測試端，以及所述第五晶體管的通道第二端連接所述第一節(jié)點；所述第六晶體管的通道第一端連接所述第二測試端，以及所述第六晶體管的通道第二端連接所述第二節(jié)點。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導(dǎo)體有限責任公司，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。