恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司陳建漢獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構與其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113314500B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110436335.8，技術領域涉及：H01L23/522；該發明授權半導體結構與其制作方法是由陳建漢;邱建智;張世郁;林大為;陳逸棠設計研發完成，并于2021-04-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構與其制作方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導體結構與其制作方法。半導體內連線結構包括導電線路電性耦接至主動半導體裝置，第一蝕刻停止層形成于導電線路上；第一介電層，形成于第一蝕刻停止層上；第二蝕刻停止層形成于第一介電層上；第二介電層形成于第二蝕刻停止層上；以及內連線結構電性耦接至導電線路并延伸穿過第一蝕刻停止層、第一介電層、第二蝕刻停止層、與第二介電層。內連線結構包括通孔，延伸穿過第一蝕刻停止層、第二蝕刻停止層、與第一介電層；以及溝槽，延伸穿過第二介電層。
本發明授權半導體結構與其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，包括：一導電線路；一第一蝕刻停止層，形成于該導電線路上；一第一介電層，形成于該第一蝕刻停止層上；一第二蝕刻停止層，形成于該第一介電層上；一第二介電層，形成于該第二蝕刻停止層上；以及一內連線結構，電性耦接至該導電線路并延伸穿過該第一蝕刻停止層、該第一介電層、該第二蝕刻停止層、與該第二介電層，且該內連線結構包括：一通孔，延伸穿過該第一蝕刻停止層、該第二蝕刻停止層、與該第一介電層；一溝槽，延伸穿過該第二介電層；以及一絕緣層，形成于該第二蝕刻停止層與該第二介電層之間，其中該通孔與該溝槽的一接面對齊該第二蝕刻停止層與該絕緣層之間的一界面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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