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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結(jié)構(gòu)與其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113314500B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110436335.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/522；該發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)與其制作方法是由陳建漢;邱建智;張世郁;林大為;陳逸棠設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-04-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體結(jié)構(gòu)與其制作方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導體結(jié)構(gòu)與其制作方法。半導體內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括導電線路電性耦接至主動半導體裝置，第一蝕刻停止層形成于導電線路上；第一介電層，形成于第一蝕刻停止層上；第二蝕刻停止層形成于第一介電層上；第二介電層形成于第二蝕刻停止層上；以及內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電性耦接至導電線路并延伸穿過第一蝕刻停止層、第一介電層、第二蝕刻停止層、與第二介電層。內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括通孔，延伸穿過第一蝕刻停止層、第二蝕刻停止層、與第一介電層；以及溝槽，延伸穿過第二介電層。

本發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)與其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構(gòu)，包括：一導電線路；一第一蝕刻停止層，形成于該導電線路上；一第一介電層，形成于該第一蝕刻停止層上；一第二蝕刻停止層，形成于該第一介電層上；一第二介電層，形成于該第二蝕刻停止層上；以及一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，電性耦接至該導電線路并延伸穿過該第一蝕刻停止層、該第一介電層、該第二蝕刻停止層、與該第二介電層，且該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括：一通孔，延伸穿過該第一蝕刻停止層、該第二蝕刻停止層、與該第一介電層；一溝槽，延伸穿過該第二介電層；以及一絕緣層，形成于該第二蝕刻停止層與該第二介電層之間，其中該通孔與該溝槽的一接面對齊該第二蝕刻停止層與該絕緣層之間的一界面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。