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恭喜長江先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責任公司彭文林獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜長江先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責任公司申請的專利一種選通器、存儲器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114447024B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202111572179.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10B63/10;該發(fā)明授權(quán)一種選通器、存儲器及其制備方法是由彭文林;劉峻;楊海波;劉廣宇;付志成設計研發(fā)完成,并于2021-12-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

一種選通器、存儲器及其制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明實施例公開了一種選通器,所述選通器包括:選通層,所述選通層的材料包括二維Bi2O2X材料,其中X選自S、Se、Te中的至少一種。本發(fā)明通過采用二維Bi2O2X材料作為選通層,利用其平面外方向的單極性阻變行為實現(xiàn)選通層的功能,可以實現(xiàn)很好的雙向?qū)ㄌ匦浴S捎诙S材料的特性,可以很好地降低器件深寬比,因而有利于器件的高密度。另外二維的Bi2O2X材料自身具有絕緣特性,在關(guān)態(tài)時具有較低的漏電流。同時,可通過調(diào)節(jié)材料中的氧空位以及X空位控制器件性能,該選通層有更好的調(diào)控自由度。

本發(fā)明授權(quán)一種選通器、存儲器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種選通器,其特征在于,包括:選通層,所述選通層的材料包括二維Bi2O2X材料,其中X選自S和Te中的至少一種,所述選通層的厚度小于或等于7nm;所述Bi2O2X材料包括氧空位和X空位,所述氧空位的濃度大于0.02小于0.2,所述X空位的濃度大于0.01小于0.1。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人長江先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責任公司,其通訊地址為:430014 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號未來科技城海外人才大樓A座18樓242室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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