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龍圖騰網恭喜中國科學院長春光學精密機械與物理研究所申請的專利一種非晶襯底上高質量AlGaN材料的范德華外延方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115976644B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211646481.4，技術領域涉及：C30B29/40；該發明授權一種非晶襯底上高質量AlGaN材料的范德華外延方法是由孫曉娟;呂炳辰;陳洋;張山麗;賁建偉;蔣科;黎大兵設計研發完成，并于2022-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種非晶襯底上高質量AlGaN材料的范德華外延方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種非晶襯底上高質量AlGaN材料的范德華外延方法，屬于半導體技術領域。本發明的方法包括以下步驟：在非晶襯底上轉移第一二維材料層并進行處理；在處理后的第一二維材料層上轉移第二二維材料層并進行氫化鈍化處理；通過范德華外延生長在第一二維材料層和第二二維材料層之間形成二維AlGaN材料預制層；通過同質范德華外延生長，采用兩步法生長在第二二維材料層上形成三維AlGaN材料薄膜。本發明采用兩層二維材料進一步緩解非晶襯底對外延層的影響，大幅降低應力與位錯，提高晶體質量，為AlGaN基光電器件的大面積應用提供了幫助，具有工藝簡單，效果顯著，應用前景廣闊等優點。

本發明授權一種非晶襯底上高質量AlGaN材料的范德華外延方法在權利要求書中公布了：1.一種非晶襯底上高質量AlGaN材料的范德華外延方法，其特征在于，包括以下步驟：在非晶襯底上轉移第一二維材料層；對所述第一二維材料層進行處理，以改善所述非晶襯底的外延條件，提供吸附原子成鍵位點；在處理后的第一二維材料層上轉移第二二維材料層，并對所述第二二維材料層進行氫化鈍化處理，用以抑制AlGaN材料三維生長，同時為后面二維AlGaN材料的生長提供原子輸運通道；提供金屬源和N源，范德華外延生長二維AlGaN材料，在所述第一二維材料層和所述第二二維材料層之間形成二維AlGaN材料預制層；同質范德華外延生長AlGaN材料，采用兩步法生長，先低溫生長成核層，再高溫生長，在所述第二二維材料層上形成三維AlGaN材料薄膜。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，其通訊地址為：130033 吉林省長春市經濟技術開發區東南湖大路3888號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。