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龍圖騰網恭喜廣東利元亨智能裝備股份有限公司申請的專利一種異質結TCO薄膜的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116356273B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310343419.6，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權一種異質結TCO薄膜的制備方法是由請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名設計研發完成，并于2023-03-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種異質結TCO薄膜的制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及異質結電池技術領域，尤其是涉及一種異質結TCO薄膜的制備方法。本發明的一種異質結TCO薄膜的制備方法，包括如下步驟：硅片依次通過至少3個靶組對所述硅片的第一表面進行沉積；硅片依次通過至少3個靶組對所述硅片的第二表面進行沉積；沿所述硅片的運動方向，所述硅片的第一表面與所述靶組的垂直距離依次遞減，所述硅片的第二表面與所述靶組的垂直距離依次遞減；沿所述硅片的運動方向，對所述硅片的第一表面進行沉積的所述靶組的磁場強度依次遞減，對所述硅片的第二表面進行沉積的所述靶組的磁場強度依次遞減。本發明的制備方法能夠提高濺射速率、減少制備時間，提高制得的TCO薄膜的性能。

本發明授權一種異質結TCO薄膜的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種異質結TCO薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：硅片依次通過3個靶組對所述硅片的第一表面進行沉積；硅片依次通過3個靶組對所述硅片的第二表面進行沉積；所述硅片依次通過第一靶組、第二靶組和第三靶組對所述硅片的第一表面進行沉積；所述硅片依次通過第四靶組、第五靶組和第六靶組對所述硅片的第二表面進行沉積；沿所述硅片的運動方向，所述硅片的第一表面與所述靶組的垂直距離依次遞減，所述硅片的第二表面與所述靶組的垂直距離依次遞減；沿所述硅片的運動方向，對所述硅片的第一表面進行沉積的所述靶組的磁場強度依次遞減，對所述硅片的第二表面進行沉積的所述靶組的磁場強度依次遞減；所述第一靶組和所述第四靶組的濺射功率各自獨立地為0.9～1.3kw；所述第二靶組和所述第五靶組的濺射功率各自獨立地為1.2～1.6kw；所述第三靶組和所述第六靶組的濺射功率各自獨立地為1.5～1.9kw。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東利元亨智能裝備股份有限公司，其通訊地址為：516057 廣東省惠州市惠城區馬安鎮新鵬路4號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。