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龍圖騰網恭喜浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司申請的專利半導體LDD擴展寬度測試結構及其形成方法、計算方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119381387B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202411941042.5，技術領域涉及：H01L23/544；該發(fā)明授權半導體LDD擴展寬度測試結構及其形成方法、計算方法是由王耀庭;許凱;高大為;吳永玉設計研發(fā)完成，并于2024-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體LDD擴展寬度測試結構及其形成方法、計算方法在說明書摘要公布了：一種半導體LDD擴展寬度測試結構及其形成方法、計算方法，包括：確定測試結構的寬度，所述測試結構的寬度基于所述第一阱的寬度和或第一LDD的寬度確定；測試所述第一阱得到第一阱的實測電阻；測試所述第一LDD得到第一LDD的實測電阻；測試所述半導體溝道得到半導體溝道的實測電阻；根據所述第一阱的實測電阻、所述第一LDD的實測電阻、所述半導體溝道的實測電阻以及所述測試結構的寬度得出所述半導體溝道的實際寬度。本發(fā)明實施例有利于獲取半導體LDD擴展寬度。

本發(fā)明授權半導體LDD擴展寬度測試結構及其形成方法、計算方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體LDD擴展寬度測試結構的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一區(qū)域，與第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，以及與第二區(qū)域相鄰的第三區(qū)域；對所述基底進行摻雜處理，以形成位于第一區(qū)域的第一阱，第二區(qū)域的第二阱以及第三區(qū)域的第三阱；在所述第二阱內摻雜形成第一LDD，以及在沿平行于載流子流動方向，在所述第三阱內摻雜形成成對的第二LDD，其中，每對第二LDD之間具有間隔，且每對第二LDD中遠離另一個第二LDD的一側與所述第三阱的邊緣齊平；形成柵極層，所述柵極層覆蓋成對的第二LDD及其之間的第三阱；在所述第一區(qū)域形成與所述第一阱耦接的阱區(qū)測試端子；在所述第二區(qū)域形成與所述第一LDD耦接的LDD測試端子；在所述第三區(qū)域形成綜合測試端子，所述綜合測試端子與所述第二LDD耦接，且與位于成對的第二LDD之間的第三阱耦接；其中，所述阱區(qū)測試端子、LDD測試端子和綜合測試端子是在同一工藝步驟中形成的；在形成所述阱區(qū)測試端子、LDD測試端子以及綜合測試端子前，以及，在形成所述柵極層后，所述形成方法還包括：形成覆蓋所述基底上的介質層；刻蝕所述介質層，在所述介質層內形成位于第一阱上的穿通的阱區(qū)過孔、形成位于第一LDD上的穿通的LDD過孔、以及形成位于第二LDD上的穿通的綜合過孔；在所述阱區(qū)過孔、LDD過孔以及綜合過孔內填充連接層材料，以形成連接插塞。

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