恭喜深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司原一帆獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利改善關(guān)斷損耗的IGBT及其制備方法、芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN119584614B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202510136790.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D62/10;該發(fā)明授權(quán)改善關(guān)斷損耗的IGBT及其制備方法、芯片是由原一帆設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-02-07向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本改善關(guān)斷損耗的IGBT及其制備方法、芯片在說明書摘要公布了:本申請(qǐng)屬于功率器件技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種改善關(guān)斷損耗的IGBT及其制備方法、芯片,通過設(shè)置載流子存儲(chǔ)層為階梯形結(jié)構(gòu),載流子存儲(chǔ)層的底部覆蓋N型漂移區(qū),P型基區(qū)形成于載流子存儲(chǔ)層的第一級(jí)階梯上,N型發(fā)射摻雜區(qū)和P型發(fā)射摻雜區(qū)形成于L形結(jié)構(gòu)的P型基區(qū)的水平部上,N型摻雜區(qū)形成于載流子存儲(chǔ)層的頂部階梯的凹槽內(nèi),柵極介質(zhì)層形成于載流子存儲(chǔ)層的頂部階梯上,柵極介質(zhì)層包裹柵極多晶硅層且柵極多晶硅層與N型摻雜區(qū)相對(duì),P型阱區(qū)形成于載流子存儲(chǔ)層的頂部階梯上且與柵極介質(zhì)層并列,從而通過減小柵極面積,改變集電極與發(fā)射極之間的電容,并且增加額外的電流抽取通道,進(jìn)一步減小器件的關(guān)斷損耗。
本發(fā)明授權(quán)改善關(guān)斷損耗的IGBT及其制備方法、芯片在權(quán)利要求書中公布了:1.一種改善關(guān)斷損耗的IGBT,其特征在于,包括:P型襯底、N型緩沖層,所述N型緩沖層形成于所述P型襯底的正面;N型漂移區(qū),所述N型漂移區(qū)形成于所述N型緩沖層上;載流子存儲(chǔ)層,形成于所述N型漂移區(qū)上,所述載流子存儲(chǔ)層為階梯形結(jié)構(gòu),所述載流子存儲(chǔ)層的底部覆蓋所述N型漂移區(qū);P型基區(qū),形成于所述載流子存儲(chǔ)層的第一級(jí)階梯上,且所述P型基區(qū)呈L形結(jié)構(gòu);N型發(fā)射摻雜區(qū)和P型發(fā)射摻雜區(qū),形成于L形結(jié)構(gòu)的所述P型基區(qū)的水平部上,且通過所述P型基區(qū)的豎直部與所述載流子存儲(chǔ)層隔離;N型摻雜區(qū),形成于所述載流子存儲(chǔ)層的頂部階梯的凹槽內(nèi);柵極介質(zhì)層和柵極多晶硅層,所述柵極介質(zhì)層形成于所述載流子存儲(chǔ)層的頂部階梯上,所述柵極介質(zhì)層包裹所述柵極多晶硅層,且所述柵極多晶硅層與所述N型摻雜區(qū)相對(duì);P型阱區(qū),形成于所述載流子存儲(chǔ)層的頂部階梯上,且與所述柵極介質(zhì)層的第一側(cè)接觸;發(fā)射極,與所述N型發(fā)射摻雜區(qū)和所述P型發(fā)射摻雜區(qū)接觸,且與所述柵極介質(zhì)層的第二側(cè)接觸;集電極,形成于所述P型襯底的背面;所述P型阱區(qū)與所述柵極介質(zhì)層的界面為梯形界面,所述P型阱區(qū)為寬度在所述集電極向所述發(fā)射極的方向上逐漸增大的階梯結(jié)構(gòu)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司,其通訊地址為:518063 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)科技南路18號(hào)深圳灣科技生態(tài)園12棟裙樓904-905;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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