恭喜華引芯(張家港)半導(dǎo)體有限公司;華引芯(武漢)科技有限公司史潔獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜華引芯(張家港)半導(dǎo)體有限公司;華引芯(武漢)科技有限公司申請的專利一種倒裝LED芯片及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119698148B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510218257.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10H20/841;該發(fā)明授權(quán)一種倒裝LED芯片及其制備方法是由史潔;劉芳;孫雷蒙設(shè)計研發(fā)完成,并于2025-02-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種倒裝LED芯片及其制備方法在說明書摘要公布了:本申請?zhí)峁┮环N倒裝LED芯片及其制備方法,制備方法包括:在圖形化的外延層上形成圖形化的剝離層;在圖形化的剝離層上形成圖形化的界面改善層,其中,圖形化的界面改善層包括多個界面改善塊,在界面改善層遠(yuǎn)離剝離層的方向上,界面改善塊的截面寬度逐漸增大;在圖形化的外延層和圖形化的界面改善層上形成反射層,其中,圖形化的界面改善層上的反射層與圖形化的外延層上的反射層間隔設(shè)置,反射層為布拉格反射器;對圖形化的剝離層進(jìn)行腐蝕處理,以使圖形化的界面改善層連同圖形化的界面改善層上的反射層,從圖形化的外延層上剝離。本申請?zhí)峁┑牡寡bLED芯片的制備方法成本低廉,反射層的反射效果好,倒裝LED芯片的發(fā)光性能和穩(wěn)定性佳。
本發(fā)明授權(quán)一種倒裝LED芯片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種倒裝LED芯片的制備方法,其特征在于,所述倒裝LED芯片的制備方法包括:在圖形化的外延層上形成圖形化的剝離層;在所述圖形化的剝離層上形成圖形化的界面改善層,其中,所述圖形化的界面改善層包括多個界面改善塊,在所述界面改善層遠(yuǎn)離所述剝離層的方向上,所述界面改善塊的截面寬度逐漸增大;在所述圖形化的外延層和所述圖形化的界面改善層上形成反射層,其中,所述圖形化的界面改善層上的反射層,與所述圖形化的外延層上的反射層間隔設(shè)置,所述反射層為布拉格反射器;對所述圖形化的剝離層進(jìn)行腐蝕處理,以使所述圖形化的界面改善層連同所述圖形化的界面改善層上的反射層,從所述圖形化的外延層上剝離;其中,所述在所述圖形化的外延層和所述圖形化的界面改善層上形成反射層的步驟中,所述圖形化的外延層上的反射層具有多個開口,所述圖形化的剝離層設(shè)置在所述多個開口內(nèi),其中,在所述界面改善層遠(yuǎn)離所述剝離層的方向上,所述開口的截面寬度逐漸增大。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人華引芯(張家港)半導(dǎo)體有限公司;華引芯(武漢)科技有限公司,其通訊地址為:215600 江蘇省蘇州市張家港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)福新路1202號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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