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龍圖騰網(wǎng)獲悉英特爾公司申請(qǐng)的專利具有頸狀半導(dǎo)體主體的半導(dǎo)體器件以及形成不同寬度的半導(dǎo)體主體的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113345952B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110410997.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)具有頸狀半導(dǎo)體主體的半導(dǎo)體器件以及形成不同寬度的半導(dǎo)體主體的方法是由B·塞爾設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2011-12-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本具有頸狀半導(dǎo)體主體的半導(dǎo)體器件以及形成不同寬度的半導(dǎo)體主體的方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明描述了具有頸狀半導(dǎo)體主體的半導(dǎo)體器件以及形成不同寬度的半導(dǎo)體主體的方法。例如，半導(dǎo)體器件包括設(shè)置于襯底之上的半導(dǎo)體主體。柵極電極堆疊體設(shè)置于半導(dǎo)體主體的一部分之上，以限定半導(dǎo)體主體中的位于柵極電極堆疊體下方的溝道區(qū)。在柵極電極堆疊體的兩側(cè)上的半導(dǎo)體主體中限定了源極區(qū)和漏極區(qū)。側(cè)壁間隔體設(shè)置于鄰近柵極電極堆疊體處，并且設(shè)置于源極區(qū)和漏極區(qū)的僅一部分上。相較于半導(dǎo)體主體的溝道區(qū)的高度和寬度，源極區(qū)和漏極區(qū)的位于側(cè)壁間隔體下方的部分具有更大的高度和寬度。

本發(fā)明授權(quán)具有頸狀半導(dǎo)體主體的半導(dǎo)體器件以及形成不同寬度的半導(dǎo)體主體的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括：設(shè)置在襯底上的半導(dǎo)體主體；設(shè)置在所述半導(dǎo)體主體的一部分上方的柵極電極堆疊體，用于限定所述半導(dǎo)體主體中的位于所述柵極電極堆疊體下方的溝道區(qū)和在所述柵極電極堆疊體的任一側(cè)上在所述半導(dǎo)體主體中的源極區(qū)和漏極區(qū)；以及鄰近所述柵極電極堆疊體設(shè)置的并且在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的僅一部分上方的側(cè)壁間隔體，其中所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的位于所述側(cè)壁間隔體下方的所述部分具有寬度，在所述寬度處所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的位于所述側(cè)壁間隔體下方的所述部分與所述溝道區(qū)相接，所述寬度比所述半導(dǎo)體主體的所述溝道區(qū)的寬度更大。

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