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龍圖騰網(wǎng)恭喜QORVO美國公司申請(qǐng)的專利用于扇出式封裝的具有背面互連線的單片微波集成電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111276473B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201911227597.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D80/30；該發(fā)明授權(quán)用于扇出式封裝的具有背面互連線的單片微波集成電路是由安德魯·阿瑟·克特森;克里斯托·帕維爾·博伊科夫設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-12-04向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于扇出式封裝的具有背面互連線的單片微波集成電路在說明書摘要公布了：公開了用于扇出式封裝的具有背面互連線的單片微波集成電路MMIC。扇出式封裝，諸如扇出晶圓級(jí)封裝FOWLP或扇出面板級(jí)封裝FOPLP，有助于MMIC的高密度封裝。但是，所述扇出式封裝可能會(huì)在MMIC管芯與FOWPLP封裝和或下一級(jí)組件NHA的再分布層RDL中的金屬功能件之間產(chǎn)生不期望的電磁EM耦合。在示例性方面，根據(jù)本公開的電路封裝包括所述MMIC管芯和RDL。所述MMIC包括具有可不期望地耦合到所述RDL中的金屬信號(hào)線例如，封裝金屬互連線的部件的芯片側(cè)。所述MMIC的所述芯片側(cè)遠(yuǎn)離所述RDL定向，以減少此類EM耦合。

本發(fā)明授權(quán)用于扇出式封裝的具有背面互連線的單片微波集成電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電路封裝，包括：第一單片微波集成電路管芯，具有包括第一單片微波集成電路管芯的一個(gè)或多個(gè)有源元件的芯片側(cè)，對(duì)電磁耦合敏感的部件作為芯片側(cè)的一部分或耦合到芯片側(cè)；二次注塑成型層，至少部分地圍繞所述第一單片微波集成電路管芯并覆蓋所述芯片側(cè)；再分布層，其附接到所述第一單片微波集成電路管芯的與所述芯片側(cè)相對(duì)的表面，其中所述再分布層包括連接到所述第一單片微波集成電路管芯的芯片側(cè)上的所述一個(gè)或多個(gè)有源元件的多條信號(hào)線，其中所述再分布層的長度等于所述二次注塑成型層的長度；互連層，其附接到所述再分布層并且被配置成將所述再分布層中的所述多條信號(hào)線電連接到下一級(jí)組件；以及穿過所述第一單片微波集成電路管芯的多個(gè)熱通孔；其中：所述第一單片微波集成電路管芯的芯片側(cè)遠(yuǎn)離所述再分布層定向，以減小所述再分布層的所述多條信號(hào)線與對(duì)電磁耦合敏感的所述部件之間的電磁耦合；所述第一單片微波集成電路管芯的與所述芯片側(cè)相對(duì)的所述表面為所述第一單片微波集成電路管芯的背面；所述電路封裝進(jìn)一步包括位于所述第一單片微波集成電路管芯的所述背面的一部分上的接地平面，來屏蔽所述部件以免于與所述再分布層的所述多條信號(hào)線的電磁耦合；并且所述多個(gè)熱通孔中的至少一個(gè)相應(yīng)熱通孔在操作中將所述接地平面連接到所述第一單片微波集成電路管芯的所述一個(gè)或多個(gè)有源元件中的至少一個(gè)有源元件。

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