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龍圖騰網恭喜QORVO美國公司申請的專利用于扇出式封裝的具有背面互連線的單片微波集成電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111276473B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911227597.2，技術領域涉及：H10D80/30；該發明授權用于扇出式封裝的具有背面互連線的單片微波集成電路是由安德魯·阿瑟·克特森;克里斯托·帕維爾·博伊科夫設計研發完成，并于2019-12-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于扇出式封裝的具有背面互連線的單片微波集成電路在說明書摘要公布了：公開了用于扇出式封裝的具有背面互連線的單片微波集成電路MMIC。扇出式封裝，諸如扇出晶圓級封裝FOWLP或扇出面板級封裝FOPLP，有助于MMIC的高密度封裝。但是，所述扇出式封裝可能會在MMIC管芯與FOWPLP封裝和或下一級組件NHA的再分布層RDL中的金屬功能件之間產生不期望的電磁EM耦合。在示例性方面，根據本公開的電路封裝包括所述MMIC管芯和RDL。所述MMIC包括具有可不期望地耦合到所述RDL中的金屬信號線例如，封裝金屬互連線的部件的芯片側。所述MMIC的所述芯片側遠離所述RDL定向，以減少此類EM耦合。

本發明授權用于扇出式封裝的具有背面互連線的單片微波集成電路在權利要求書中公布了：1.一種電路封裝，包括：第一單片微波集成電路管芯，具有包括第一單片微波集成電路管芯的一個或多個有源元件的芯片側，對電磁耦合敏感的部件作為芯片側的一部分或耦合到芯片側；二次注塑成型層，至少部分地圍繞所述第一單片微波集成電路管芯并覆蓋所述芯片側；再分布層，其附接到所述第一單片微波集成電路管芯的與所述芯片側相對的表面，其中所述再分布層包括連接到所述第一單片微波集成電路管芯的芯片側上的所述一個或多個有源元件的多條信號線，其中所述再分布層的長度等于所述二次注塑成型層的長度；互連層，其附接到所述再分布層并且被配置成將所述再分布層中的所述多條信號線電連接到下一級組件；以及穿過所述第一單片微波集成電路管芯的多個熱通孔；其中：所述第一單片微波集成電路管芯的芯片側遠離所述再分布層定向，以減小所述再分布層的所述多條信號線與對電磁耦合敏感的所述部件之間的電磁耦合；所述第一單片微波集成電路管芯的與所述芯片側相對的所述表面為所述第一單片微波集成電路管芯的背面；所述電路封裝進一步包括位于所述第一單片微波集成電路管芯的所述背面的一部分上的接地平面，來屏蔽所述部件以免于與所述再分布層的所述多條信號線的電磁耦合；并且所述多個熱通孔中的至少一個相應熱通孔在操作中將所述接地平面連接到所述第一單片微波集成電路管芯的所述一個或多個有源元件中的至少一個有源元件。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人QORVO美國公司，其通訊地址為：美國北卡羅來納；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。