恭喜營口天維半導體制造有限公司鄭園園獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜營口天維半導體制造有限公司申請的專利一種鈣鈦礦薄膜的橫向區域熔化再結晶的裝置和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112993160B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911333356.6，技術領域涉及：H10K71/40；該發明授權一種鈣鈦礦薄膜的橫向區域熔化再結晶的裝置和方法是由鄭園園;鄭小鹿設計研發完成，并于2019-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種鈣鈦礦薄膜的橫向區域熔化再結晶的裝置和方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種對于有機?無機的金屬鹵化物鈣鈦礦及其衍生物的非晶或多晶薄膜材料的結晶和再結晶的裝置和方法，特別是涉及橫向區域熔化再結晶，并應用于鈣鈦礦的非晶或者多晶薄膜，其有利于減少晶疇之間的空隙，消除晶疇間的界面和增大晶疇。裝置中包含輻射源、聚焦和掃描單元、薄膜的氣氛控制環境、薄膜的加熱平臺和前驅體的加熱器等。本發明適用于光伏薄膜、LED顯示器發光薄膜、圖象探測器薄膜和x光圖象探測器薄膜等需要較大面積的鈣鈦礦單晶、準單晶或者較大晶疇的多晶的需要。
本發明授權一種鈣鈦礦薄膜的橫向區域熔化再結晶的裝置和方法在權利要求書中公布了：1.一種鈣鈦礦薄膜的橫向區域熔化再結晶的裝置，其特征在于包含輻射源、聚焦單元、掃描單元、薄膜的氣氛控制環境、薄膜樣品的加熱平臺和前驅體的加熱器；所述加熱平臺用于放置待橫向區域熔化再結晶的鈣鈦礦薄膜；所述氣氛控制環境用于依次按一定的時間順序設置為真空、惰性氣體和封閉的蒸汽壓可控的前驅體蒸汽；所述加熱平臺的溫度升到低于薄膜熔化的一個確定的溫度，所述輻射源、所述聚焦單元、所述掃描單元啟動，選擇合適的輻射強度、聚焦區域大小、掃描速度和掃描模式，使得在薄膜內的輻射線束聚焦區域的溫度升到薄膜熔點之上；在掃描遍歷薄膜之后，所述輻射源、所述聚焦單元、所述掃描單元關閉；所述加熱平臺的溫度減低到室溫，得到制備完畢的薄膜；所述的輻射源是產生遠紅外到紅外波段內輻射的電阻加熱源，或者是產生近紅外到紫外波段內輻射的光源。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人營口天維半導體制造有限公司，其通訊地址為：115000 遼寧省營口市西市區沿海產業基地新聯大街東一號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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