北京小米移動軟件有限公司袁相霏獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京小米移動軟件有限公司申請的專利負極極片及其制作方法、電芯、電池和電子設備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115148955B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110336525.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01M4/134；該發(fā)明授權(quán)負極極片及其制作方法、電芯、電池和電子設備是由袁相霏設計研發(fā)完成，并于2021-03-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本負極極片及其制作方法、電芯、電池和電子設備在說明書摘要公布了：本公開是關(guān)于一種負極極片及其制作方法、電芯、電池和電子設備。負極極片包括：負極集流體；碳量子點層，所述碳量子點層形成于所述負極集流體的表面；負極含硅涂覆層，所述負極含硅涂覆層形成于所述碳量子點層背離所述負極集流體的表面。
本發(fā)明授權(quán)負極極片及其制作方法、電芯、電池和電子設備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種負極極片，其特征在于，包括：負極集流體；碳量子點層，所述碳量子點層形成于所述負極集流體的表面；負極含硅涂覆層，所述負極含硅涂覆層形成于所述碳量子點層背離所述負極集流體的表面；所述碳量子點層包括碳量子點、粘接劑和分散劑，所述碳量子點層的厚度與所述碳量子點的濃度正相關(guān)；所述負極含硅涂覆層包括含硅涂覆層和形成于所述含硅涂覆層表面的石墨涂覆層，且所述含硅涂覆層位于所述石墨涂覆層和所述碳量子點層之間。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人北京小米移動軟件有限公司，其通訊地址為：100085 北京市海淀區(qū)西二旗中路33號院6號樓8層018號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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