中國科學院上海微系統與信息技術研究所佘小娟獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利一種90°光混頻器及制作方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115166991B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110359487.2,技術領域涉及:G02B27/28;該發明授權一種90°光混頻器及制作方法是由佘小娟;廖涵;趙瑛璇;仇超;甘甫烷設計研發完成,并于2021-04-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種90°光混頻器及制作方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種90°光混頻器及制作方法,該90°光混頻器包括Si3N4MMI耦合器,該Si3N4MMI耦合器使用氮化硅作為波導的芯層材料,二氧化硅作為波導的包層材料,基于氮化硅材料制成的Si3N4MMI耦合器制作工藝簡單,與集成器件、CMOS工藝兼容。該Si3N4MMI耦合器的四個輸出波導輸出的光功率保持一致,且四個輸出波導輸出光束的相位誤差在?5°~5°范圍內,四個輸出波導的總透射率大于0.9時,對應的帶寬為68nm,覆蓋了波長范圍在1530nm?1565nm之間的C波段,具有較高的實用價值。
本發明授權一種90°光混頻器及制作方法在權利要求書中公布了:1.一種90°光混頻器,其特征在于,所述90°光混頻器包括Si3N4MMI耦合器,所述Si3N4MMI耦合器包括:硅襯底;二氧化硅下包層,形成于所述硅襯底上;氮化硅波導,形成于所述二氧化硅下包層上;二氧化硅上包層,覆蓋所述氮化硅波導及二氧化硅下包層;其中,所述氮化硅波導的折射率在1.9~2.1范圍內;其中,所述氮化硅波導包括依次連接的輸入波導、多模波導及輸出波導,所述輸入波導包括第一輸入波導、第二輸入波導、第三輸入波導及第四輸入波導,所述輸出波導包括第一輸出波導、第二輸出波導、第三輸出波導及第四輸出波導,通過所述第一輸入波導輸入TE偏振狀態的信號光,通過所述第二輸入波導輸入TE偏振狀態的本地偏振光,通過所述第三輸入波導輸入TM偏振狀態的信號光,通過所述第四輸入波導輸入TM偏振狀態的本地偏振光,且所述信號光及本地偏振光通過所述多模波導形成具有同功率、不同相位的光束,且所述光束通過所述輸出波導輸出的相對相位差分別為0°、90°、180°及270°;其中,利用光的自映像原理,設置所述多模波導的折射率、寬度和厚度參數,以將所述信號光及本地偏振光進行混合并解調為同功率、不同相位的光束;所述多模波導為矩形波導;其中,在所述輸出波導的總透射率大于0.9時所對應的帶寬為68nm,覆蓋了1530nm~1565nm范圍;且在1530nm~1565nm波段范圍內,經所述輸出波導輸出的所述光束的相位誤差的范圍為-5°~5°。
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