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龍圖騰網恭喜大連理工大學申請的專利一種同時具有高低增益和對數響應的高動態CMOS圖像傳感器及時序控制方法和讀取方式獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115134541B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210699481.4，技術領域涉及：H04N25/57；該發明授權一種同時具有高低增益和對數響應的高動態CMOS圖像傳感器及時序控制方法和讀取方式是由常玉春;婁珊珊;曲楊;鐘國強;程禹;張為森;孔祥和;孫漢蔚;周義喆;李技燁;牛仕澤設計研發完成，并于2022-06-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種同時具有高低增益和對數響應的高動態CMOS圖像傳感器及時序控制方法和讀取方式在說明書摘要公布了：一種同時具有高低增益和對數響應的高動態CMOS圖像傳感器及時序控制方法和讀取方式，屬于半導體光電方向圖像傳感器領域。本發明利用了在不同光強下電荷補償元件分別工作在截止區和亞閾值區的原理：弱光和強光下電荷補償元件處于截止區，無導通電流，此時本發明的像素結構與具有高低增益結構的高動態像素技術功能相同，因此在弱光下具有很強的探測能力；在超強光或者長積分時間下電荷補償元件工作在亞閾值區，利用亞閾值區晶體管電流電壓為對數關系的特性實現對過溢光生電荷的補償，因此可在超高光強下成像。本發明在一次曝光下可以獲得多幅相同積分時間的圖像，對應弱光、強光和超強光，多幅圖像即可合成一幅具有超高動態范圍的圖像。

本發明授權一種同時具有高低增益和對數響應的高動態CMOS圖像傳感器及時序控制方法和讀取方式在權利要求書中公布了：1.一種同時具有高低增益和對數響應的高動態CMOS圖像傳感器，其特征在于，像素結構包括鉗位光電二極管（1）、電荷轉移控制晶體管（2）、電荷補償元件（9）、源極跟隨器（5）和行選晶體管（6）；鉗位光電二極管（1）作為光電探測元件，能夠把接收的光信號轉換為電信號并積累光生電荷，鉗位光電二極管（1）的P端接GND，N端接電荷轉移控制晶體管（2）的源極；電荷轉移控制晶體管（2）用于將鉗位光電二極管（1）中積累的光生電荷轉移到FD點，電荷轉移控制晶體管（2）的柵極的控制信號TX來自于圖像傳感器系統中的行控制模塊，漏極連接到FD點；電荷補償元件（9）包括新型復位晶體管（7）、新型高動態范圍晶體管（8），其中新型復位晶體管（7）的漏極接Vpix電位，源極連接到新型高動態范圍晶體管（8）的漏極，新型高動態范圍晶體管（8）的源極連接到FD點；新型復位晶體管（7）和新型高動態范圍晶體管（8）共同構成的電荷補償元件（9）的柵極控制信號RST和HDR來自于行控制模塊，該元件弱光和強光下工作在截止區，超強光或者超長積分時間時工作在亞閾值區，以此來增加圖像傳感器的動態范圍；源極跟隨器（5）和行選晶體管（6）用于將像素信號輸出到后續讀出電路，源極跟隨器（5）的柵極與FD點相連，漏極接至VDD，源極與行選晶體管（6）的漏極相連；行選晶體管（6）的柵端的控制信號SEL來自于行控制模塊，源極與列總線相連，用于將像素的信號值輸出到圖像傳感器系統的后續讀出電路中；所述的電荷轉移控制晶體管（2）、源極跟隨器（5）和行選晶體管（6）均采用標準NMOS晶體管工藝制造而成；所述的新型復位晶體管（7）、新型高動態范圍晶體管（8）是在標準工藝基礎上進行了一次額外的離子注入，用來調整晶體管的閾值電壓，使其閾值電壓低于正常值，故二者共同構成了所述的電荷補償元件（9）；該元件在超強光下或者長時間積分時工作在亞閾值區域，向FD點注入電荷補償鉗位光電二極管（1）溢出到FD點的光生電荷，避免因鉗位光電二極管（1）達到滿阱而導致的信號飽和；利用亞閾值區晶體管電流電壓為對數關系的特性，從而在弱光和強光的線性響應基礎上獲得對數響應，極大的擴展了圖像傳感器的動態范圍。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人大連理工大學，其通訊地址為：116024 遼寧省大連市甘井子區凌工路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。