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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院申請的專利一種非密排貴金屬納米顆粒有序點陣及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116031326B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211308662.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種非密排貴金屬納米顆粒有序點陣及其制備方法是由劉迪龍;陳志明;曹安;李越設計研發(fā)完成，并于2022-10-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種非密排貴金屬納米顆粒有序點陣及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于微納光學材料制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非密排貴金屬納米顆粒有序點陣非密排貴金屬納米顆粒有序點陣及其制備方法。所述方法首先在平片基底表面均勻地涂一層紫外固化光學膠，利用具有均勻凹槽的壓印模板壓印出微納準連續(xù)膜結(jié)構(gòu)，然后沉積一層貴金屬膜最后通過退火煅燒獲得了非密排貴金屬納米顆粒有序點陣。貴金屬納米顆粒形貌為球形，顆粒尺度均勻，顆粒尺寸和周期可調(diào)且有序性高，能夠在室溫、環(huán)境氣氛條件下長時間保存。該制備技術(shù)快速簡便、經(jīng)濟高效，特別適合非密排貴金屬納米顆粒有序點陣的大面積4英寸、低成本制備，適合工業(yè)化的大規(guī)模生產(chǎn)應用。

本發(fā)明授權(quán)一種非密排貴金屬納米顆粒有序點陣及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種非密排貴金屬納米顆粒有序點陣的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：S1、將平片基底經(jīng)過處理，得到清潔和親水的表面；S2、在經(jīng)上述處理的平片基底表面均勻地涂一層固化光學膠，厚度為2-100μm；S3、取壓印模板，該壓印模板的表面設置有非貫穿、有序點陣排布的凹槽，將設置有凹槽的一面覆蓋在固化光學膠上壓印，然后將固化光學膠經(jīng)固化處理形成準連續(xù)膜結(jié)構(gòu)，去掉壓印模板；S4、在形成準連續(xù)膜結(jié)構(gòu)的固化光學膠的表面沉積一層厚為2-50nm的貴金屬膜；S5、將沉積貴金屬膜的平片基底放入馬弗爐中進行退火煅燒處理，煅燒溫度為500-1500℃，時間為0.5-10h，結(jié)束后自然降溫，即制得非密排貴金屬納米顆粒有序點陣；步驟S3中所述壓印模板的制備方法如下：S11、將聚合物膠體微球添加到水中，通過氣液界面自組裝方法，在水面上進行聚合物微球膠體組裝，獲得有序的聚合物膠體微球單層膜；S12、基于無損轉(zhuǎn)移方法，將聚合物膠體微球單層膜轉(zhuǎn)移至石英襯底上，在聚合物膠體微球單層膜上澆筑一層聚二甲基硅氧烷即PDMS，置于真空干燥箱中待相鄰聚合物膠體微球之間的空隙被PDMS填充到，然后置于40～100℃的烘箱中固化，再剝離下PDMS，所得即為設置有非貫穿有序點陣凹槽的壓印模板。

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