恭喜南京郵電大學孫華斌獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜南京郵電大學申請的專利一種由垂直有機晶體管構成的反相器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116322071B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310214218.6，技術領域涉及：H10K19/10；該發明授權一種由垂直有機晶體管構成的反相器是由孫華斌;于曉辰;許智奇;李長青;徐勇;吳潔;于志浩;陳子龍設計研發完成，并于2023-03-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種由垂直有機晶體管構成的反相器在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體器件物理領域，公開了一種由垂直有機晶體管構成的反相器，該反相器包括串聯的垂直結構的PMOS和垂直結構的NMOS，垂直結構的PMOS包括襯底、底柵、柵氧化層、在柵氧化層表面的graphene、在graphene上層的有機半導體層DPPT?TT+N2200和蒸鍍的源極和漏極Au，垂直結構的NMOS包括襯底、底柵、柵氧化層、在柵氧化層表面的graphene、在graphene上層的有機半導體層N2200+DPPT?TT和蒸鍍的源極和漏極Au，DPPT?TT+N2200和N2200+DPPT?TT通過提拉方式形成膜。本發明相比于傳統水平結構的反相器，有更低的工作電壓。
本發明授權一種由垂直有機晶體管構成的反相器在權利要求書中公布了：1.一種由垂直有機晶體管構成的反相器，其特征在于：所述反相器包括垂直結構的PMOS和垂直結構的NMOS，所述垂直結構的PMOS和所述垂直結構的NMOS串聯，其中，所述垂直結構的PMOS包括襯底、底柵、柵氧化層、在柵氧化層表面的graphene、在graphene上層的有機半導體層DPPT-TT+N2200和蒸鍍的源極和漏極Au；所述垂直結構的NMOS包括襯底、底柵、柵氧化層、在柵氧化層表面的graphene、在graphene上層的有機半導體層N2200+DPPT-TT和蒸鍍的源極和漏極Au。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京郵電大學，其通訊地址為：210003 江蘇省南京市鼓樓區新模范馬路66號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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