恭喜湖南三安半導體有限責任公司劉杰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜湖南三安半導體有限責任公司申請的專利功率器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119181726B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411704683.9，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權功率器件是由劉杰;蔡文必;林志東;郭元旭;李立均設計研發完成，并于2024-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本功率器件在說明書摘要公布了：本申請提供的功率器件，在有源區內，半導體外延片包括沿底部到頂部方向交替層疊設置的多個第一外延層以及多個第二外延層；第二外延層包括多個第一摻雜區和多個第二摻雜區；第一外延層和第一摻雜區為第一導電類型，第二摻雜區為第二導電類型；以此，在器件反偏，第一摻雜區和第二摻雜區形成耗盡區，以此可以增加器件在反偏時半導體外延片承受的耐壓，且進一步設置相鄰兩個第二外延層中的多個第一摻雜區在襯底上的投影不完全重疊，能夠增加電流路徑長度，進一步地增加器件在反偏時半導體外延片承受的耐壓。
本發明授權功率器件在權利要求書中公布了：1.一種功率器件，其特征在于，包括：襯底；半導體外延片，設置于所述襯底上；所述半導體外延片包括有源區；在所述有源區內，所述半導體外延片內具有間隔設置的若干半導體元胞，若干所述半導體元胞均從所述半導體外延片遠離所述襯底的表面朝向所述襯底的方向延伸，所述半導體元胞包括相接的阱區、阱區接觸區以及源區；其中，定義所述襯底一側為底部，所述半導體元胞一側為頂部；在所述有源區內，所述半導體外延片還包括沿所述底部到所述頂部方向交替層疊設置的多個第一外延層以及多個第二外延層；所述第二外延層包括多個第一摻雜區和多個第二摻雜區；所述第一外延層和所述第一摻雜區為第一導電類型，所述第二摻雜區為第二導電類型；相鄰兩個所述第二外延層中的多個所述第一摻雜區在所述襯底上的投影不完全重疊；其中，位于最底部的所述第一外延層的厚度大于其余的單個所述第一外延層的厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南三安半導體有限責任公司，其通訊地址為：410217 湖南省長沙市高新開發區長興路399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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