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龍圖騰網恭喜浙江華辰芯光技術有限公司申請的專利一種半導體激光器芯片結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119447991B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510033074.3，技術領域涉及：H01S5/30；該發明授權一種半導體激光器芯片結構及其制造方法是由侯繼達;李明欣;魏明設計研發完成，并于2025-01-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體激光器芯片結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體激光器制造技術領域。具體涉及一種半導體激光器芯片結構及其制造方法。本申請提供的半導體激光器芯片結構包括：激光器基體和重摻雜臺，重摻雜臺設置于激光器基體的上限制層背向襯底層一側表面，包括第一歐姆接觸層、第二歐姆接觸層和電阻控制層；重摻雜臺有電流注入區，設置有第一電流注入窗口和第二電流注入窗口；第一電流注入窗口至襯底層的電流路徑不經過電阻控制層，第二電流注入窗口至襯底層的電流路徑經過電阻控制層；第二電流注入窗口至少設置于電流注入區靠近后腔面一側。本申請提供的半導體激光器芯片結構，可有效平衡前、后腔面的載流子注入，從而避免前腔面的局部失效，并可提升器件效率。

本發明授權一種半導體激光器芯片結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體激光器芯片結構，其特征在于，所述半導體激光器芯片結構包括：激光器基體，所述激光器基體包括依次層疊設置的：襯底層、緩沖層、下限制層、下波導層、量子阱有源層、上波導層和上限制層；重摻雜臺，設置于所述激光器基體的上限制層背向所述襯底層一側表面，包括第一歐姆接觸層、第二歐姆接觸層和電阻控制層；所述電阻控制層設置于所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層之間；所述電阻控制層的電阻阻值分別大于所述第一歐姆接觸層的電阻阻值和所述第二歐姆接觸層的電阻阻值；所述重摻雜臺劃分有電流注入區，所述電流注入區中設置有第一電流注入窗口和第二電流注入窗口；其中，所述第一電流注入窗口至所述襯底層的電流路徑不經過所述電阻控制層，所述第二電流注入窗口至所述襯底層的電流路徑經過所述電阻控制層；所述半導體激光器芯片結構在所述激光器基體長度方向上具有相對的前腔面和后腔面；所述第二電流注入窗口至少設置于所述電流注入區靠近所述后腔面一側；所述電流注入區中的部分所述第一歐姆接觸層、所述電阻控制層和所述第二歐姆接觸層形成若干間隔的重摻雜島，所述重摻雜島構成第二電流注入窗口；所述第一電流注入窗口包圍所述第二電流注入窗口；沿所述半導體激光器芯片結構的所述后腔面至所述前腔面的方向上，若干所述第二電流注入窗口間隔的分布，且自所述后腔面至所述前腔面的方向上，相鄰所述第二電流注入窗口的間隔逐漸增加。

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