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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利LDMOS器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119584596B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510127856.3，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權LDMOS器件及其形成方法是由康紹磊;丁帥;丁夢茜設計研發完成，并于2025-02-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本LDMOS器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種LDMOS器件及其形成方法，通過在漂移區設置淺溝槽，并在淺溝槽內設置相互隔離的第一淺溝槽隔離結構第一部分和第一淺溝槽隔離結構第二部分，第一淺溝槽隔離結構第一部分上形成有第一場板，第一淺溝槽隔離結構第二部分上形成有第二場板，第一淺溝槽隔離結構第一部分和第一淺溝槽隔離結構第二部分之間形成有控制柵，控制柵與第一場板電連接，且控制柵與第二場板相互隔離。本發明具有意想不到的技術效果，通過調節加在控制柵上的電壓，能夠實現對LDMOS器件的關鍵參數擊穿電壓和導通阻抗的調控，在不改變LDMOS器件尺寸的前提下顯著降低導通阻抗，同時在一定程度上增加了擊穿電壓。

本發明授權LDMOS器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括襯底和位于所述襯底內的漂移區，所述漂移區內形成有淺溝槽，所述淺溝槽的底角形成有相互隔離的第一淺溝槽隔離結構第一部分和第一淺溝槽隔離結構第二部分，所述淺溝槽內形成有柵氧，所述柵氧覆蓋所述淺溝槽的側壁和底壁，所述柵氧還覆蓋所述第一淺溝槽隔離結構第一部分的頂部和側壁以及所述第一淺溝槽隔離結構第二部分的頂部和側壁，所述第一淺溝槽隔離結構第一部分上形成有第一場板，所述第一淺溝槽隔離結構第二部分上形成有第二場板，所述第一淺溝槽隔離結構第一部分和所述第一淺溝槽隔離結構第二部分之間形成有控制柵，所述控制柵與所述第一場板電連接，且所述控制柵與所述第二場板相互隔離，以及所述控制柵覆蓋所述淺溝槽的底壁上的柵氧，所述控制柵的電位單獨引出。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。