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恭喜成都銳成芯微科技股份有限公司向建軍獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜成都銳成芯微科技股份有限公司申請的專利一種非易失性存儲單元及其存儲器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119584540B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510128783.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10B41/30;該發(fā)明授權(quán)一種非易失性存儲單元及其存儲器是由向建軍;何忠波;王宇龍;陳飛龍設(shè)計研發(fā)完成,并于2025-02-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

一種非易失性存儲單元及其存儲器在說明書摘要公布了:本申請涉及一種非易失性存儲單元及其存儲器,所述存儲單元包含:相鄰并置的不同類型的第一阱和第二阱;一個第一晶體管位于所述第一阱中,該第一晶體管包含浮柵及其柵氧化物;一個電容位于所述第二阱中,該電容包含一個位于第二阱中的耦合區(qū),所述浮柵及其柵氧化物從第一阱延伸至第二阱,構(gòu)成電容的柵極及其柵氧化物;所述浮柵包含兩個電性不同的部分,所述兩個部分的交界處形成PN結(jié),鄰近浮柵的一個末端,所述PN結(jié)與鄰近的浮柵末端的距離小于150nm。本申請存儲單元中的浮柵內(nèi)的PN結(jié)鄰近浮柵末端,可削弱或消除PN結(jié)對浮柵的不良影響,增大浮柵獲得的耦合電勢,提高浮柵獲得的耦合電勢的均勻度和穩(wěn)定性,有助于提高存儲器的穩(wěn)定性和可靠性。

本發(fā)明授權(quán)一種非易失性存儲單元及其存儲器在權(quán)利要求書中公布了:1.一種非易失性存儲單元,其特征在于,它包含:相鄰并置的不同類型的第一阱和第二阱;一個第一晶體管位于所述第一阱中,所述第一晶體管包含浮柵及其柵氧化物;一個電容位于所述第二阱中,該電容包含一個位于第二阱中的耦合區(qū),所述浮柵及其柵氧化物從第一阱延伸至第二阱,構(gòu)成電容的柵極及其柵氧化物;所述浮柵包含兩個電性不同的部分,所述兩個電性不同的部分的交界處鄰近浮柵的一個末端,所述交界處與鄰近的浮柵末端的距離小于150nm。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人成都銳成芯微科技股份有限公司,其通訊地址為:610094 四川省成都市高新區(qū)天府五街200號3號樓A區(qū)9樓;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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