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龍圖騰網恭喜珠海市沃德科技有限公司申請的專利一種陶瓷基雙面印制電路板及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119697884B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510203039.1，技術領域涉及：H05K3/00；該發明授權一種陶瓷基雙面印制電路板及其制作方法是由彭樹榮;劉鵬飛;吳執東設計研發完成，并于2025-02-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種陶瓷基雙面印制電路板及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種陶瓷基雙面印制電路板及其制作方法，方法包括根據陶瓷坯體的三維結構劃分重點監控區與常規監控區，分階段升溫采集溫度分布參數、氣體成分參數與光學特性參數，對高風險區域進行局部光譜與微區氣氛分析，以確定二次相的形成時間、溫度區間及反應強度，繼而通過氣氛與溫度調控抑制二次相。本發明技術方案能夠在燒結及金屬化過程中對陶瓷基雙面印制電路板進行區域化監控，利用實時數據判斷并遏制二次相的擴散或聚集，顯著降低界面缺陷與微裂紋風險，提高成品良率，適用于高功率、高散熱與高可靠性領域，從而滿足高功率器件散熱與可靠性需求。

本發明授權一種陶瓷基雙面印制電路板及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種陶瓷基雙面印制電路板的制作方法，其特征在于，包括：根據陶瓷坯體的預設三維結構特征劃分得到重點監控區和常規監控區，并在分階段升溫過程中采集所述重點監控區和常規監控區的初始溫度分布參數、初始氣體成分參數及初始光學特性參數；具體包括：根據陶瓷坯體的預設通孔分布位置、預設金屬化層分布區域和預設芯片封裝區域劃分監控區域，其中，將預設芯片封裝區域劃分為一級重點監控區，將預設通孔分布位置劃分為二級重點監控區，將預設金屬化層分布區域劃分為三級重點監控區，將其余區域劃分為常規監控區；對所述一級重點監控區、二級重點監控區、三級重點監控區和常規監控區在400-800°C的燒結前期采集局部升溫速率、有機物分解產物濃度和表面形貌特征；對所述一級重點監控區、二級重點監控區、三級重點監控區和常規監控區在1000-1400°C的主相燒結溫度階段采集溫度梯度、金屬氧化物揮發濃度和晶界特征；將所述局部升溫速率和所述溫度梯度作為初始溫度分布參數，將所述有機物分解產物濃度和所述金屬氧化物揮發濃度作為初始氣體成分參數，將所述表面形貌特征和所述晶界特征作為初始光學特性參數；對所述初始溫度分布參數、初始氣體成分參數及初始光學特性參數進行分析，得到各區域的風險等級數據，所述風險等級數據包括高風險、中風險和低風險；根據所述風險等級數據，對風險等級為高風險的區域進行局部光譜分析和微區氣氛分析，獲得晶體結構數據、衍射數據和局部氣體濃度數據，并根據所述晶體結構數據、衍射數據和局部氣體濃度數據確定二次相的形成時間點、溫度區間及反應強度；根據所述二次相的形成時間點、溫度區間及反應強度，對所述風險等級為高風險的區域進行氣氛調控和溫度調控，并實時采集調控過程中的實時溫度分布參數、實時氣體成分參數及實時光學特性參數，當所述實時溫度分布參數、實時氣體成分參數及實時光學特性參數滿足預設閾值時，確定所述二次相得到有效抑制。

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