恭喜朗姆研究公司巴德里·N·瓦拉達拉簡獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利使用遠程等離子體處理使碳化硅膜致密化獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113707542B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110823900.6，技術領域涉及：H01L21/205；該發明授權使用遠程等離子體處理使碳化硅膜致密化是由巴德里·N·瓦拉達拉簡;龔波;袁光璧;桂喆;賴鋒源設計研發完成，并于2017-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本使用遠程等離子體處理使碳化硅膜致密化在說明書摘要公布了：提供了使用遠程等離子體處理使碳化硅膜致密化的方法和裝置。遠程等離子體沉積和遠程等離子體處理碳化硅膜的操作交替發生以控制膜密度。沉積第一厚度的碳化硅膜，然后進行遠程等離子體處理，并且然后沉積第二厚度的碳化硅膜，然后進行另一次遠程等離子體處理。遠程等離子體處理可以使處于實質上低能量狀態的源氣的自由基例如處于基態的氫自由基朝向沉積在襯底上的碳化硅膜流動。處于實質上低能態的源氣的自由基促進碳化硅膜中的交聯和膜致密化。
本發明授權使用遠程等離子體處理使碳化硅膜致密化在權利要求書中公布了：1.一種沉積摻雜碳化硅膜的方法，該方法包括：使一種或多種含硅前體流入反應室，其中所述一種或多種含硅前體中的每一個包含Si-H鍵和或Si-Si鍵，以及Si-C鍵、Si-O鍵和或Si-N鍵；和使從遠程等離子體源產生的源氣體的自由基流入所述反應室，其中所述自由基在所述反應室中與襯底相鄰的環境中處于基本上低能態或基態，其中所述自由基與在與所述襯底相鄰的所述環境中的所述一種或多種含硅前體反應，以在所述襯底上沉積具有高擊穿電壓和低漏電流的摻雜碳化硅膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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