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龍圖騰網恭喜西門子股份公司申請的專利金屬氧化物半導體場效應晶體管的驅控獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112189307B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980034724.9，技術領域涉及：H03K17/14；該發明授權金屬氧化物半導體場效應晶體管的驅控是由馬克-馬蒂亞斯·巴克蘭;于爾根·伯默爾;馬丁·黑爾斯佩爾;埃伯哈德·烏爾里希·克拉夫特;貝恩德·拉斯卡;安德烈亞斯·納格爾;斯特凡·漢斯·維爾納·舍內沃夫;簡·魏格爾設計研發完成，并于2019-05-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本金屬氧化物半導體場效應晶體管的驅控在說明書摘要公布了：本發明涉及一種用于驅控MOSFET1、特別是基于具有寬帶隙的半導體的MOSFET1的驅控裝置3和方法。根據本發明，創建特征塊，在特征塊中與影響所述MOSFET1的開關特性的至少一個運行特征變量U、T相關地存儲用于驅控所述MOSFET1的至少一個驅控變量U1、U2、R1、R2相對于所述驅控變量U1、U2、R1、R2的參考驅控值的變化ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2，該變化抵抗由至少一個運行特征變量U、T引起的、開關特性的變化。在MOSFET1運行時，求出至少一個運行特征變量U、T的實際值，并且根據特征塊，相對于至少一個驅控變量的參考驅控值與至少一個運行特征變量U、T的實際值相關地改變至少一個驅控變量U1、U2、R1、R2。

本發明授權金屬氧化物半導體場效應晶體管的驅控在權利要求書中公布了：1.一種用于驅控MOSFET（1）的方法，其中，-創建特征塊，在所述特征塊中與影響所述MOSFET（1）的開關特性的至少一個運行特征變量相關地存儲用于驅控所述MOSFET（1）的至少一個驅控變量相對于所述驅控變量的參考驅控值的變化，該變化抵抗由至少一個所述運行特征變量引起的、所述開關特性的變化，所述特征塊具有特征曲線，所述特征曲線顯示驅控變量相對于參考驅控值的與至少一個運行特征變量相關的變化，-在所述MOSFET（1）運行時，求出至少一個所述運行特征變量的實際值，并且-根據所述特征塊，相對于至少一個所述驅控變量的參考驅控值，與至少一個所述運行特征變量的所述實際值相關地改變至少一個所述驅控變量。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西門子股份公司，其通訊地址為：德國慕尼黑；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。