恭喜芯恩(青島)集成電路有限公司尹曉明獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜芯恩(青島)集成電路有限公司申請的專利三維電容器結構及其制作方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN111987075B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201910450214.1,技術領域涉及:H01L23/64;該發明授權三維電容器結構及其制作方法是由尹曉明;肖德元;馬強設計研發完成,并于2019-05-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本三維電容器結構及其制作方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種三維電容器結構及其制作方法,結構包括:導電基底;疊層結構,包括交替層疊的導電層及空腔層,疊層結構內具有溝槽,溝槽將疊層結構隔離成多個鰭形疊層單元,導電層表面形成有粗糙導電結構;導電支撐柱,穿過鰭形疊層單元,連接導電層及導電基底;電容介質層,形成于導電層表面、導電支撐柱表面及溝槽底部;導電材料,填充于空腔層及溝槽中。本發明在三維堆疊的導電層表面形成電容介質層,并在電容介質層上形成導電材料作為電極,從而構成三維電容器,該三維電容器通過控制導電層的堆疊的層數,可以實現非常高的電容密度。粗糙導電結構可以有效提高電容器的電學性能及機械性能。
本發明授權三維電容器結構及其制作方法在權利要求書中公布了:1.一種三維電容器結構的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步驟:1提供一導電基底,于所述導電基底上形成堆疊結構,所述堆疊結構包括交替層疊的導電層及犧牲層;2于所述導電基底及堆疊結構中形成導電支撐柱,所述導電支撐柱的頂面與所述堆疊結構的頂面齊平,所述導電支撐柱連接所述導電層及所述導電基底;3于所述堆疊結構刻蝕溝槽,所述溝槽將所述堆疊結構隔離成多個鰭形堆疊單元,每個所述鰭形堆疊單元至少包含一根所述導電支撐柱;4選擇性刻蝕去除所述鰭形堆疊單元中的犧牲層以形成空腔層,所述空腔層顯露所述鰭形堆疊單元中的導電層表面,且所述導電層由所述導電支撐柱支撐;5采用半球狀顆粒化工藝對所述鰭形堆疊單元中的導電層表面進行處理,以在所述導電層表面形成粗糙導電結構;6于所述導電層表面及所述溝槽底部形成電容介質層;7于所述空腔層及所述溝槽中填充導電材料,以形成三維電容器結構的第一電極,所述導電層由所述導電支撐柱電性引出至所述導電基底,以形成三維電容器的第二電極;所述堆疊結構還包括周邊區域,所述周邊區域中形成有貫穿所述堆疊結構的導電柱,以將所述導電基底電性引出至所述堆疊結構的上表面,其中,所述導電柱與所述堆疊結構之間具有絕緣層;所述導電層包括摻雜的多晶硅,所述導電支撐柱的材料包括鎢;還包括:于所述導電材料表面制作第一焊盤,于所述周邊區域的堆疊結構上形成第二焊盤,所述第二焊盤與所述導電柱連接;其中組成六方陣列排布的7個所述鰭形堆疊單元的所述第一電極相互電性連接,并共同連接至同一個所述第一焊盤。
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