恭喜英飛凌科技奧地利有限公司T.法伊爾獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜英飛凌科技奧地利有限公司申請的專利半導體封裝，半導體模塊，電子組件以及制造半導體封裝和半導體模塊的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110190040B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910131937.5，技術領域涉及：H01L23/48；該發明授權半導體封裝，半導體模塊，電子組件以及制造半導體封裝和半導體模塊的方法是由T.法伊爾;D.克拉韋特;P.加尼切爾;M.珀爾茲爾;C.馮科布林斯基設計研發完成，并于2019-02-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體封裝，半導體模塊，電子組件以及制造半導體封裝和半導體模塊的方法在說明書摘要公布了：公開了半導體封裝，半導體模塊，電子組件以及制造半導體封裝和半導體模塊的方法。在實施例中，模塊包括第一器件區域中的第一電子器件和第二器件區域中的第二電子器件。第一電子器件被可操作地耦合到第二電子器件以形成電路。第一電子器件的側面和第二電子器件的側面嵌入在第一環氧樹脂層中并且與第一環氧樹脂層直接接觸。
本發明授權半導體封裝，半導體模塊，電子組件以及制造半導體封裝和半導體模塊的方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體模塊，包括：在第一器件區域中的第一電子器件；在第二器件區域中的第二電子器件，其中第一電子器件被耦合到第二電子器件以形成電路；第一主表面，其包括至少一個接觸焊盤；第二主表面，其包括至少一個接觸焊盤，第二主表面與第一主表面相對；布置在第一主表面上的第一環氧樹脂層，其讓第一接觸焊盤的至少部分暴露；其中，第一電子器件的側面和第二電子器件的側面嵌入在第一環氧樹脂層中并且與第一環氧樹脂層直接接觸，以及導電再分配結構，其將第一電子器件與第二電子器件電耦合以形成電路，其中導電再分配結構包括：從第一主表面延伸到第二主表面的導電通孔；以及導電層，其被布置在第一主表面或第二主表面上并且被布置在導電通孔上，導電層從第一器件區域經非器件區域延伸到第二器件區域，將第一電子器件耦合到第二電子器件，其中導電通孔位于第一電子器件中或者位于第二電子器件中并且與其所位于的第一電子器件或第二電子器件電耦合。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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