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龍圖騰網(wǎng)恭喜英飛凌科技奧地利有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體封裝，半導(dǎo)體模塊，電子組件以及制造半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體模塊的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110190040B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910131937.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/48；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝，半導(dǎo)體模塊，電子組件以及制造半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體模塊的方法是由T.法伊爾;D.克拉韋特;P.加尼切爾;M.珀?duì)柶潬?C.馮科布林斯基設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-02-22向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體封裝，半導(dǎo)體模塊，電子組件以及制造半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體模塊的方法在說明書摘要公布了：公開了半導(dǎo)體封裝，半導(dǎo)體模塊，電子組件以及制造半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體模塊的方法。在實(shí)施例中，模塊包括第一器件區(qū)域中的第一電子器件和第二器件區(qū)域中的第二電子器件。第一電子器件被可操作地耦合到第二電子器件以形成電路。第一電子器件的側(cè)面和第二電子器件的側(cè)面嵌入在第一環(huán)氧樹脂層中并且與第一環(huán)氧樹脂層直接接觸。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝，半導(dǎo)體模塊，電子組件以及制造半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體模塊的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體模塊，包括：在第一器件區(qū)域中的第一電子器件；在第二器件區(qū)域中的第二電子器件，其中第一電子器件被耦合到第二電子器件以形成電路；第一主表面，其包括至少一個(gè)接觸焊盤；第二主表面，其包括至少一個(gè)接觸焊盤，第二主表面與第一主表面相對(duì)；布置在第一主表面上的第一環(huán)氧樹脂層，其讓第一接觸焊盤的至少部分暴露；其中，第一電子器件的側(cè)面和第二電子器件的側(cè)面嵌入在第一環(huán)氧樹脂層中并且與第一環(huán)氧樹脂層直接接觸，以及導(dǎo)電再分配結(jié)構(gòu)，其將第一電子器件與第二電子器件電耦合以形成電路，其中導(dǎo)電再分配結(jié)構(gòu)包括：從第一主表面延伸到第二主表面的導(dǎo)電通孔；以及導(dǎo)電層，其被布置在第一主表面或第二主表面上并且被布置在導(dǎo)電通孔上，導(dǎo)電層從第一器件區(qū)域經(jīng)非器件區(qū)域延伸到第二器件區(qū)域，將第一電子器件耦合到第二電子器件，其中導(dǎo)電通孔位于第一電子器件中或者位于第二電子器件中并且與其所位于的第一電子器件或第二電子器件電耦合。

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