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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會社申請的專利垂直半導體裝置獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111162089B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201910628158.6，技術領域涉及：H10B43/27；該發(fā)明授權垂直半導體裝置是由李奉镕;金泰勛;裵敏敬;禹明勛設計研發(fā)完成，并于2019-07-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本垂直半導體裝置在說明書摘要公布了：提供了一種垂直半導體裝置。所述垂直半導體裝置可以包括多個溝道連接圖案、下絕緣層、支撐層、堆疊結構和溝道結構。溝道連接圖案可以接觸基底。下絕緣層可以形成在溝道連接圖案上。支撐層可以形成在下絕緣層上以與溝道連接圖案間隔開。支撐層可以包括摻雜有雜質的多晶硅。堆疊結構可以形成在支撐層上，堆疊結構可以包括絕緣層和柵電極以形成存儲器單元串。溝道結構可以穿過堆疊結構、支撐層和下絕緣層。溝道結構可以包括電荷存儲結構和溝道。溝道可以接觸溝道連接圖案。電荷存儲結構和溝道可以設置為面對柵電極和支撐層。支撐層可以作為GIDL柵極感應漏極泄漏晶體管的柵極。

本發(fā)明授權垂直半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種垂直半導體裝置，所述垂直半導體裝置包括：多個溝道連接圖案，接觸基底的上表面；下絕緣層，形成在所述多個溝道連接圖案上并且在所述多個溝道連接圖案之間的空間中；支撐層，形成在下絕緣層上以與所述多個溝道連接圖案間隔開，支撐層包括摻雜有雜質的多晶硅；堆疊結構，形成在支撐層上，其中，在堆疊結構中堆疊有絕緣層和柵電極；以及溝道結構，穿過堆疊結構、支撐層和下絕緣層，并延伸到基底的上部，溝道結構包括電荷存儲結構和溝道，其中，溝道結構形成在穿過堆疊結構、支撐層和下絕緣層并延伸到基底的上部的溝道孔中，其中，溝道具有圓柱形狀，并且溝道的下部完全填充溝道孔的位于支撐層的上表面下方的下部，其中，溝道接觸溝道連接圖案，其中，電荷存儲結構和溝道被設置為面對柵電極和支撐層，其中，溝道的下部被設置為面對支撐層和電荷存儲結構，并且支撐層被構造為用作柵極感應漏極泄漏晶體管的柵極，并且其中，溝道結構還包括填充圖案，填充圖案形成在溝道上以僅填充溝道孔的位于支撐層的上表面上方的上部。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。