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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111223829B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910729880.9，技術領域涉及：H01L23/485；該發明授權半導體封裝是由柳承官;崔允碩設計研發完成，并于2019-08-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體封裝在說明書摘要公布了：一種半導體封裝包括襯底封裝基板、第一半導體芯片和第二半導體芯片。襯底封裝基板包括設置有再分布層的再分布區域，多個豎直導電通道連接到所述再分布層，并且凹陷區域從所述再分布區域的上表面凹進。襯底封裝基板還包括：轉接板，在所述凹陷區域中，所述轉接板包括基板、設置在所述基板的上表面處的多個上焊盤、以及分別連接到所述多個上焊盤以穿過所述基板的多個貫通電極。第一半導體芯片和第二半導體芯片安裝在延伸區域和轉接板上并且水平地彼此分開設置。從平面圖的角度，所述轉接板被設置為與所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片中的每一個的一部分重疊。

本發明授權半導體封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝，包括：襯底封裝基板，包括：再分布區域，包括：多個層間絕緣層，以及設置在所述多個層間絕緣層中的第一層間絕緣層與第二層間絕緣層之間的界面處的再分布層，多個豎直導電通道，形成在所述再分布區域內并且具有連接到所述再分布層的底表面，以及第三層間絕緣層，在所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層下方；凹陷區域，從所述再分布區域的上表面凹進，并且形成在所述再分布層上方；以及轉接板，在所述凹陷區域中，所述轉接板包括基板、設置在所述基板的上表面處的多個上焊盤、以及分別連接到所述多個上焊盤以穿過所述基板的多個貫通電極；第一半導體芯片和第二半導體芯片，各自包括多個導電互連端子，所述多個導電互連端子分別連接到所述多個上焊盤和在所述再分布區域的所述上表面處暴露的所述豎直導電通道，所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片安裝在所述再分布區域和所述轉接板上并且水平地彼此分開設置；以及多個外部導電互連端子，在所述第三層間絕緣層下方，其中，從平面圖的角度，所述轉接板被設置為與所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片中的每一個的一部分重疊。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。