恭喜天馬日本株式會社;武漢天馬微電子有限公司竹知和重獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜天馬日本株式會社;武漢天馬微電子有限公司申請的專利薄膜器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112086466B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010534466.5，技術領域涉及：H10D86/60；該發明授權薄膜器件是由竹知和重;田中淳;世良賢二;袁永設計研發完成，并于2020-06-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本薄膜器件在說明書摘要公布了：一種薄膜器件包括多晶硅元件和氧化物半導體元件。所述多晶硅元件包括由低電阻多晶硅制成的第一部分。所述氧化物半導體元件包括由低電阻氧化物半導體制成的第二部分。所述第一部分和所述第二部分被設置為彼此重疊并且連接。
本發明授權薄膜器件在權利要求書中公布了：1.一種薄膜器件，包括：多晶硅元件；以及氧化物半導體元件，其中所述多晶硅元件包括由低電阻多晶硅制成的第一部分，其中所述氧化物半導體元件包括由低電阻氧化物半導體制成的第二部分，所述第一部分被包括在多晶硅膜中，所述第二部分被包括在氧化物半導體膜中，并且所述多晶硅膜和所述氧化物半導體膜被直接設置在公共絕緣層上，其中所述多晶硅元件是多晶硅薄膜晶體管，其中所述氧化物半導體元件是氧化物半導體薄膜晶體管，其中所述第一部分被包括在所述多晶硅薄膜晶體管的源極漏極中，所述多晶硅薄膜晶體管的源極漏極的電阻低于所述多晶硅薄膜晶體管的溝道的電阻，其中所述第二部分被包括在所述氧化物半導體薄膜晶體管的源極漏極中，所述氧化物半導體薄膜晶體管的源極漏極的電阻低于所述氧化物半導體薄膜晶體管的溝道的電阻，并且其中所述第一部分和所述第二部分被設置為彼此重疊并且連接而沒有通孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天馬日本株式會社;武漢天馬微電子有限公司，其通訊地址為：日本神奈川縣川崎市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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