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龍圖騰網恭喜澤瓦薄膜技術股份有限公司申請的專利用于涂覆基底的裝置、方法和系統(tǒng)以及超導的帶狀導體獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112442664B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010878315.1，技術領域涉及：C23C14/26；該發(fā)明授權用于涂覆基底的裝置、方法和系統(tǒng)以及超導的帶狀導體是由喬治·西格爾設計研發(fā)完成，并于2020-08-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于涂覆基底的裝置、方法和系統(tǒng)以及超導的帶狀導體在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及用于涂覆基底的裝置、方法和系統(tǒng)以及超導的帶狀導體。該方法包括步驟：產生在氣相中的金屬材料，將氣態(tài)的金屬材料導入到擴張空間中，其中，擴張空間設置成使氣態(tài)的金屬材料擴張并且指向基底，并且將金屬材料沉積在基底的表面的至少一部分上。經涂覆的超導的帶狀導體，包括：至少一個超導層，至少一個金屬涂層，金屬涂層沉積在帶狀導體上，其中，金屬涂層的厚度為至少1μm并且在經涂覆的帶狀導體的寬度上的變化不大于10％、優(yōu)選不大于5％。

本發(fā)明授權用于涂覆基底的裝置、方法和系統(tǒng)以及超導的帶狀導體在權利要求書中公布了：1.用于在真空環(huán)境（1）中以金屬涂層涂覆基底（4）的方法，其中，在所述真空環(huán)境（1）中存在最高1×10-1帕斯卡的環(huán)境氣體壓強，所述方法包括：a.在氣體源（2）中以無飛濺的方式產生在氣相中的金屬材料（9），其中，所述金屬材料（9）的蒸氣壓強在所述氣體源（2）中至少為101帕斯卡；b.將氣態(tài)的金屬材料（9）導入到擴張空間（3）中；c.其中，所述擴張空間（3）具有拉瓦爾噴嘴的擴張部的形狀并且設置成使所述氣態(tài)的金屬材料（9）擴張并且指向所述基底（4）；并且d.將所述金屬材料（9）沉積在所述基底（4）的表面的至少一部分上，其中，所述擴張空間（3）直接布置成靠近所述氣體源（2），并且所述擴張空間（3）的周側表面涂覆有防附著涂層。

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