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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海顯耀顯示科技有限公司申請(qǐng)的專利制造多色發(fā)光像素單元的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114730815B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080063264.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)制造多色發(fā)光像素單元的方法是由Q·李;Q·徐設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本制造多色發(fā)光像素單元的方法在說(shuō)明書摘要公布了：一種用于制造多色發(fā)光像素單元的方法，包括：在基板上形成堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)按從下至上的順序包括第一金屬層、第一類型的發(fā)光層、第二金屬層和第二類型的發(fā)光層；對(duì)所述第二類型的發(fā)光層和所述第二金屬層進(jìn)行圖案化，直到暴露所述第一類型的發(fā)光層的一部分為止；以及選擇性地刻蝕所述堆疊結(jié)構(gòu)以形成第一發(fā)光晶體管和第二發(fā)光晶體管，所述第一發(fā)光晶體管包括所述第一金屬層和所述第一類型的發(fā)光層，并且所述第二發(fā)光晶體管包括所述第一金屬層、所述第一類型的發(fā)光層、所述第二金屬層和所述第二類型的發(fā)光層。

本發(fā)明授權(quán)制造多色發(fā)光像素單元的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于制造多色發(fā)光像素單元的方法，所述方法包括：在基板上形成堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)按從下至上的順序包括第一金屬層、第一類型的發(fā)光層、第二金屬層和第二類型的發(fā)光層；對(duì)所述第二類型的發(fā)光層和所述第二金屬層進(jìn)行圖案化，直到暴露所述第一類型的發(fā)光層的一部分為止；選擇性地蝕刻所述堆疊結(jié)構(gòu)以形成第一發(fā)光晶體管和第二發(fā)光晶體管，所述第一發(fā)光晶體管包括所述第一金屬層和所述第一類型的發(fā)光層，并且所述第二發(fā)光晶體管包括所述第一金屬層、所述第一類型的發(fā)光層、所述第二金屬層和所述第二類型的發(fā)光層；形成連續(xù)覆蓋整個(gè)所述第一發(fā)光晶體管和整個(gè)所述第二發(fā)光晶體管的隔離層；在所述隔離層中形成第一開(kāi)口和第二開(kāi)口，所述第一開(kāi)口暴露所述第一發(fā)光晶體管中的所述第一類型的發(fā)光層的一部分，并且所述第二開(kāi)口暴露所述第二發(fā)光晶體管中的所述第二類型的發(fā)光層的一部分；以及形成連續(xù)覆蓋所述隔離層、整個(gè)所述第一發(fā)光晶體管和整個(gè)所述第二發(fā)光晶體管的頂部電極層，所述頂部電極層經(jīng)由所述第一開(kāi)口接觸所述第一發(fā)光晶體管中的所述第一類型的發(fā)光層并且經(jīng)由所述第二開(kāi)口接觸所述第二發(fā)光晶體管中的所述第二類型的發(fā)光層。

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