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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利雙充氣室分形噴頭獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114586130B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080072107.0，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權雙充氣室分形噴頭是由克林特·愛德華·托馬斯;杰里米·托德·圖克;艾倫·M·舍普設計研發完成，并于2020-10-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本雙充氣室分形噴頭在說明書摘要公布了：提供了一種雙充氣室分形DPF噴頭，其用于在處理操作期間將不同的半導體處理氣體分布至整個半導體晶片上。DPF噴頭可具有多個層，每一者具有氣體分布特征的圖案，每一層上的氣體分布特征的形狀與其緊鄰上游層上的氣體分布特征的形狀大致相似，但尺寸較小。氣體流動通道的這種“分形”狀結構在處理操作期間于整個半導體晶片表面上提供非常均勻的處理氣體輸送，因而提高晶片的均勻性。

本發明授權雙充氣室分形噴頭在權利要求書中公布了：1.一種半導體處理設備，其包括：噴頭，所述噴頭包括：主體；第一充氣室入口；第二充氣室入口；多個第一氣體分布孔；以及多個第二氣體分布孔，其中：所述主體包括多個層，所述多個層包括兩個或更多分形層的子集，每一分形層包括成組的第一徑向對稱氣體分布特征和成組的第二徑向對稱氣體分布特征，每一第一徑向對稱氣體分布特征包括第一中心充氣室、流體連接至所述第一中心充氣室并從所述第一中心充氣室向外輻射的多個第一輻條通道、以及多個第一豎管端口，每一第一豎管端口位于所述第一輻條通道中的一者的一遠端處，每一第二徑向對稱氣體分布特征包括第二中心充氣室、流體連接至所述第二中心充氣室并從所述第二中心充氣室向外輻射的多個第二輻條通道、以及多個第二豎管端口，每一第二豎管端口位于所述第二輻條通道中的一者的遠端處，所述第一徑向對稱氣體分布特征和所述第二徑向對稱氣體分布特征在所述主體內相互流體隔離，對于所述分形層的每一分形層：所述分形層的每一第一徑向對稱氣體分布特征被定位成使得對應的所述第一中心充氣室定位于緊鄰上游層的第一豎管端口下方，以及所述分形層的每一第二徑向對稱氣體分布特征被定位成使得對應的所述第二中心充氣室定位于所述緊鄰上游層的第二豎管端口下方。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。