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龍圖騰網恭喜廣東芯賽威科技有限公司申請的專利一種自切換阱開關電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112838855B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110209632.9，技術領域涉及：H03K19/003；該發明授權一種自切換阱開關電路是由李明峰設計研發完成，并于2021-02-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種自切換阱開關電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種自切換阱開關電路，包括第一高壓PMOS管，第一高壓PMOS管與ISW信號接口串聯，第一高壓PMOS管與第二高壓PMOS管和第三高壓PMOS管并聯，第二高壓PMOS管與INP信號接口串聯。本發明僅使用了一個開關管即可實現高側開關的開啟，相較于普通電流開啟的高側開關，達到相同的導通電阻僅需14的開關管面積，同時開關可以自動完成阱電位的切換，即阱電位可以跟隨輸入輸出中較高的電壓，沒有關斷漏電流，且該電路可以通過實現電流控制型開關的VGS等比例開啟，提高各路電流控制型開關的通道匹配性以及溫度特性，結構簡單，降低制造成本。

本發明授權一種自切換阱開關電路在權利要求書中公布了：1.一種自切換阱開關電路，包括第一高壓PMOS管，其特征在于：所述第一高壓PMOS管的柵極與ISW信號接口連接，所述第一高壓PMOS管的柵極與第一電阻的第一端連接，所述第一電阻的第二端與所述第一高壓PMOS管的襯底連接，所述第一高壓PMOS管的第一端與第二高壓PMOS管的第一端連接，所述第一高壓PMOS管的第二端與第三高壓PMOS管的第一端連接，且所述第二高壓PMOS管的第二端和第三高壓PMOS管的第二端與所述第一高壓PMOS管的襯底連接，所述第二高壓PMOS管的第二端與所述第三高壓PMOS管的第二端連接，所述第二高壓PMOS管的第一端與第一二極管的陽極連接，所述第一二極管的陰極與第二高壓PMOS管的第二端連接，所述第二高壓PMOS管的柵極與第三電阻的第一端連接，所述第三電阻的第二端與所述第三高壓PMOS管的第一端連接，所述第二高壓PMOS管的第一端與INP信號接口連接，所述第三高壓PMOS管的第一端與第二二極管的陽極連接，所述第二二極管的陰極與所述第三高壓PMOS管的第二端連接，所述第三高壓PMOS管的柵極與第二電阻的第一端連接，所述第二電阻的第二端與所述第二高壓PMOS管的第一端連接，所述第三高壓PMOS管的第一端與INN信號接口連接；所述第一高壓PMOS管為對稱結構的高壓PMOS管；所述第二高壓PMOS管為非對稱結構的高壓PMOS管；所述第一高壓PMOS管為P1，所述第二高壓PMOS管為P2，所述第三高壓PMOS管為P3，所述第一電阻為R1，所述第二電阻為R2，所述第一二極管為DP2，所述第二二極管為DP3。

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