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龍圖騰網恭喜勝高股份有限公司申請的專利半導體晶片的評價方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115698686B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180037081.0，技術領域涉及：G01N21/956；該發明授權半導體晶片的評價方法是由黑紙基;森敬一朗設計研發完成，并于2021-03-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體晶片的評價方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種利用激光表面檢查裝置評價半導體晶片的半導體晶片的評價方法。上述半導體晶片在半導體基板上具有覆蓋層，上述激光表面檢查裝置具有：第一入射系統；第二入射系統，以比第一入射系統入射到被照射面的光的入射角高的角度的入射角使光入射到被照射面；第一受光系統；第二受光系統；以及第三受光系統。上述三種受光系統的選自由接收從被照射面放射的光的受光角和偏振選擇性構成的組中的一個以上各不相同。包括在上述覆蓋層的表面通過如下方式進行上述半導體晶片的評價：基于包含三種低入射角測定結果和至少一種高入射角測定結果的多個測定結果，將選自由存在于上述覆蓋層的表面的附著物和非附著凸狀缺陷構成的組中的缺陷種類檢測為亮點，上述三種低入射角測定結果是通過由上述三種受光系統分別接收通過從第一入射系統入射的光在上述表面反射或散射而放射的放射光而得到的，上述至少一種高入射角測定結果是通過由上述三種受光系統的至少一種接收通過從第二入射系統入射的光在上述表面反射或散射而放射的放射光而得到的。

本發明授權半導體晶片的評價方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體晶片的評價方法，利用激光表面檢查裝置評價半導體晶片，其特征在于，所述半導體晶片在半導體基板上具有覆蓋層，所述激光表面檢查裝置具有：第一入射系統；第二入射系統，以比第一入射系統入射到被照射面的光的入射角高的角度的入射角使光入射到被照射面；第一受光系統；第二受光系統；以及第三受光系統，所述三種受光系統的選自由接收從被照射面放射的光的受光角和偏振選擇性構成的組中的一個以上各不相同，所述半導體晶片的評價方法包括在所述覆蓋層的表面通過如下方式進行所述半導體晶片的評價：基于包含三種低入射角測定結果和至少一種高入射角測定結果的多個測定結果，將選自由存在于所述覆蓋層的表面的附著物和非附著凸狀缺陷構成的組中的缺陷種類檢測為亮點，所述三種低入射角測定結果是通過由所述三種受光系統分別接收通過從第一入射系統入射的光在所述表面反射或散射而放射的放射光而得到的，所述至少一種高入射角測定結果是通過由所述三種受光系統的至少一種接收通過從第二入射系統入射的光在所述表面反射或散射而放射的放射光而得到的；并且，包括基于選自由通過組合第一入射系統與第一受光系統而得到的測定結果1中的檢測的有無和檢測尺寸、通過組合第一入射系統與第二受光系統而得到的測定結果2中的檢測的有無和檢測尺寸、通過組合第一入射系統與第三受光系統而得到的測定結果3中的檢測的有無和檢測尺寸、以及通過組合第二入射系統與第二受光系統或第三受光系統而得到的測定結果4中的檢測的有無和檢測尺寸構成的組的判別基準，判別作為所述亮點檢測出的缺陷種類是附著物還是非附著凸狀缺陷；第一受光系統接收全方位光，第二受光系統選擇性地接收方位角θ1°的偏振光，第三受光系統選擇性地接收與方位角θ1°不同的方位角θ2°的偏振光，0°≤θ1°≤90°且90°≤θ2°≤180°，第一受光系統的受光角是比第二受光系統的受光角和第三受光系統的受光角高的角度；按照下述表1所示的基準進行所述判別，[表1] X、Y、Z分別獨立地超過0。

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