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本一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種GaNMOSHEMT的柵氧化層形成方法及GaNMOSHEMT制造方法首先在GaNMOSHEMT的GaN外延層上方形成Si外延層，然后采用熱氧化法對(duì)Si外延層進(jìn)行氧化，使Si外延層全部氧化為SiO2層，該SiO2層作為柵氧化層。本發(fā)明的上述方法避免了等離子體對(duì)外延層的損傷，改善了SiO2層與GaN外延層的界面態(tài)，顯著提高了器件的性能，提高柵極對(duì)溝道的控制能力。另外，通過(guò)嚴(yán)格控制熱氧化的時(shí)間和溫度，使得Si外延層全部被氧化的而GaN外延層中的GaN不會(huì)被氧化。同時(shí)，為了進(jìn)一步防止GaN外延層被氧化，本發(fā)明的方法還可以在Si外延層與GaN外延層之間的界面處注入C離子，C離子有助于阻止GaN外延層被氧化，從而保證器件的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種GaNMOSHEMT的柵氧化層形成方法，其特征在于，包括以下步驟：在GaNMOSHEMT的GaN外延層上方形成Si外延層；向所述Si外延層與所述GaN外延層之間的界面處注入C離子；對(duì)所述Si外延層進(jìn)行熱氧化使所述Si外延層全部氧化形成SiO2層，所述SiO2層作為柵氧化層。

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