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龍圖騰網(wǎng)恭喜華邦電子股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115223995B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110422428.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/538；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)是由張皓筌;楊峻昇設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-04-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，包含半導(dǎo)體基板、設(shè)置于半導(dǎo)體基板上的位線、以及設(shè)置于位線一側(cè)的電容接觸件。電容接觸件包含設(shè)置于半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體插塞、設(shè)置于半導(dǎo)體插塞上的金屬插塞、沿著金屬插塞的側(cè)壁和底部延伸的金屬硅化物襯層、以及設(shè)置于金屬硅化物襯層上的氮化物層。金屬硅化物襯層的頂表面低于金屬插塞的頂表面。氮化物層圍繞金屬插塞的頂部。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：一半導(dǎo)體基板；一位線，設(shè)置于該半導(dǎo)體基板上；以及一電容接觸件，設(shè)置于該位線的一側(cè)，其中該電容接觸件包括：一半導(dǎo)體插塞，設(shè)置于半導(dǎo)體基板上；一金屬插塞，設(shè)置于該半導(dǎo)體插塞上；一金屬硅化物襯層，沿著該金屬插塞的側(cè)壁和底部延伸，其中該金屬硅化物襯層的頂表面低于該金屬插塞的頂表面；以及一氮化物層，設(shè)置于該金屬硅化物襯層上，且該氮化物層圍繞該金屬插塞的頂部。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華邦電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣臺中市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。