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龍圖騰網恭喜重慶郵電大學申請的專利一種基于平板波導微流體結構的表面增強拉曼光流體芯片獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115266677B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210822287.0，技術領域涉及：G01N21/65；該發(fā)明授權一種基于平板波導微流體結構的表面增強拉曼光流體芯片是由賴春紅;曾誠;張芝峻;李元睿;張琦;陳文軍設計研發(fā)完成，并于2022-07-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于平板波導微流體結構的表面增強拉曼光流體芯片在說明書摘要公布了：本發(fā)明請求保護一種基于平板波導微流體結構的表面增強拉曼光流體芯片，其包括：平板波導、微流體結構和硅基底，所述平板波導包括波導上包層、波導下包層和波導芯層；所述微流體結構包括進液通道、出液通道和微流體通道；所述微流體通道層疊設置在所述波導上包層的上表面，進液通道和出液通道均設置于所述微流體通道的上表面；硅基底放置于波導下包層下方；所述波導芯層設置于波導下包層和波導上包層之間，入射光從波導芯層或者微通道內射入并從波導芯層或者微通道另一端射出；進液通道和出液通道平行放置于微流體通道上方。

本發(fā)明授權一種基于平板波導微流體結構的表面增強拉曼光流體芯片在權利要求書中公布了：1.一種基于平板波導微流體結構的表面增強拉曼光流體芯片，其特征在于，包括：平板波導、微流體結構和硅基底1，所述平板波導包括波導上包層4、波導下包層2和波導芯層3；所述微流體結構包括進液通道6、出液通道7和微流體通道5；所述微流體通道5層疊設置在所述波導上包層4的上表面，進液通道6和出液通道7均設置于所述微流體通道5的上表面；硅基底1放置于波導下包層2下方；所述波導芯層3設置于波導下包層2和波導上包層4之間，入射光從波導芯層3射入并從波導芯層3另一端射出；進液通道6和出液通道7平行放置于微流體通道5上方；硅基底1用作芯片基底，波導下包層2折射率低于波導芯層，形成全反射，和波導芯層3為光的傳輸通道，所述波導上包層4折射率低于波導芯層，形成全反射，微流體通道5用于檢測液體的流動，進液通道6用于檢測液體的流入，出液通道7用于檢測液體的流出。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶郵電大學，其通訊地址為：400065 重慶市南岸區(qū)南山街道崇文路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。