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龍圖騰網(wǎng)恭喜長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110957280B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201811120461.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/13；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由請(qǐng)求不公布姓名設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-09-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層中穿插有應(yīng)力緩沖層，以反向制衡絕緣介質(zhì)層的應(yīng)力，避免在絕緣介質(zhì)層的應(yīng)力作用下導(dǎo)致基底發(fā)生翹曲的問題。并且，利用應(yīng)力緩沖層還能夠有效阻擋水汽侵入，一方面可以提高鈍化層圖形的精度，另一方面還可以避免應(yīng)力緩沖層下方的膜層受到水汽侵蝕的問題。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底和形成在所述基底上的鈍化層，所述鈍化層包括絕緣介質(zhì)層和應(yīng)力緩沖層，所述應(yīng)力緩沖層沿著基底表面的方向穿插在所述絕緣介質(zhì)層中，并且所述應(yīng)力緩沖層的應(yīng)力和所述絕緣介質(zhì)層的應(yīng)力相反，所述應(yīng)力緩沖層沿著所述基底表面呈現(xiàn)為凹凸不平的形貌，所述絕緣介質(zhì)層的厚度大于所述應(yīng)力緩沖層的厚度。

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