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龍圖騰網恭喜山東華光光電子股份有限公司申請的專利一種基于鈣鈦礦結構的紅光激光器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119231314B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411718549.4，技術領域涉及：H01S5/34；該發明授權一種基于鈣鈦礦結構的紅光激光器及其制備方法是由吳德華;劉斌;趙軍華;劉琦;任夫洋;蘇建設計研發完成，并于2024-11-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于鈣鈦礦結構的紅光激光器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于鈣鈦礦結構的紅光激光器及其制備方法，屬于半導體量子點激光器領域。本發明紅光激光器由下至上依次包括：反射層、P面電極、空穴傳輸層、鈣鈦礦有源層、電子傳輸層和N面電極；反射層是由HfO2層和SiO2層交替堆疊而成；空穴傳輸層為氧化鎳摻雜鈧元素；鈣鈦礦有源層為CsPbBrl2PbSe異質結層。本發明激光器改善了有源區鈣鈦礦量子點載流子傳輸效率，提高了紅光激光器的輸出功率和效率；以F?P腔模式作為諧振腔，通過增加在工作介質中振蕩提升激光光束的輸出功率。本發明紅光激光器具有構造簡單、制備方法簡單、散熱好、發光效率高、光致發光強度高、閾值電流低、輸出功率高等優勢。

本發明授權一種基于鈣鈦礦結構的紅光激光器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于鈣鈦礦結構的紅光激光器，其特征在于，由下至上依次包括：反射層、P面電極、空穴傳輸層、鈣鈦礦有源層、電子傳輸層和N面電極；反射層是由HfO2層和SiO2層交替堆疊而成，反射層的厚度為250-350nm，HfO2層的單層厚度為25-35nm，SiO2層的單層厚度為15-25nm；HfO2層緊貼P面電極的下表面；空穴傳輸層為氧化鎳摻雜鈧元素，空穴傳輸層中鈧元素的摩爾量為氧化鎳摩爾量的4-6%；鈣鈦礦有源層為CsPbBrl2PbSe異質結層；電子傳輸層為鎂元素摻雜的氧化鋅層，電子傳輸層中鎂元素的摩爾量為氧化鋅摩爾量的10-20%；N面電極設置于電子傳輸層上表面的兩側，兩側N面電極的中間為空氣流通通道；鈣鈦礦有源層的制備方法如下：i、將Cs2CO3、油酸、十八烯充分混合溶解得到Cs-油酸鹽；ii、將Se粉末和三丁基膦充分混合溶解得Se-三丁基膦；iii、將PbBr2、PbI2和十八烯混合，在保護氣氛下加入油酸、油胺，充分分散均勻后，升溫至170-180℃，加入Se-三丁基膦；攪拌加熱5-15min后，迅速注入Cs-油酸鹽，攪拌反應4-6s后將混合物浸入冷水浴中立即冷卻至室溫；離心后將沉淀分散在己烷或甲苯中得到CsPbBrl2PbSe量子點分散液；保護氣氛下，將CsPbBrI2PbSe量子點分散液旋涂在空穴傳輸層上表面獲得鈣鈦礦有源層；電子傳輸層的制備方法如下：將ZnCH3COO2和MgCH3COO2溶于DMSO中得到混合液1；在乙醇中滴入四甲基氫氧化銨水溶液得到混合液2；將混合液1和混合液2混合，經45-55℃攪拌反應0.5-2h，然后經乙酸乙酯沉淀得到ZnO:Mg納米材料；將ZnO:Mg納米材料分散于乙醇中，在保護氣氛下旋涂在鈣鈦礦有源層上表面，然后300-400℃、保護氣氛下退火5-15min，得到電子傳輸層。

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