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龍圖騰網(wǎng)恭喜美光科技公司申請的專利薄膜晶體管及相關(guān)制造技術(shù)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113228284B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980083752.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D86/60；該發(fā)明授權(quán)薄膜晶體管及相關(guān)制造技術(shù)是由H·A·卡斯特羅;S·W·魯塞爾;S·H·唐設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-12-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本薄膜晶體管及相關(guān)制造技術(shù)在說明書摘要公布了：本申請案涉及薄膜晶體管及相關(guān)制造技術(shù)。所述薄膜晶體管可存取安置成交叉點架構(gòu)的兩個或更多個存儲器單元層面。所述制造技術(shù)可使用形成于復(fù)合堆疊的頂層處的一或多個通路圖案，其可促進在所述復(fù)合堆疊內(nèi)構(gòu)建所述薄膜晶體管，同時使用數(shù)目減少的處理步驟。通過利用所述通路的不同群組，可使用所述制造技術(shù)來構(gòu)建所述薄膜晶體管的不同配置。此外，可使用本文中所描述的所述薄膜晶體管及基于通路的相關(guān)制造技術(shù)來構(gòu)造存儲器裝置的電路及組件例如解碼器電路系統(tǒng)、一或多個存儲器陣列的方面之間的互連件。

本發(fā)明授權(quán)薄膜晶體管及相關(guān)制造技術(shù)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種方法，其包括：形成穿過包括第一層、第二層及第三層的堆疊的頂層的第一多個通路及第二多個通路；使用所述第一多個通路來形成晶體管的柵極電極，所述柵極電極位于所述第二層處；使用所述第二多個通路來形成所述晶體管的第二電極，所述第二電極位于所述第一層處；使用由所述第一多個通路及所述第二多個通路共有的通路來形成所述晶體管的第三電極，所述第三電極至少延伸穿過所述第三層；使用所述通路來移除所述柵極電極的一部分以形成所述第二層處的腔；及使用所述通路來形成位于所述第二層處的所述腔中且與所述柵極電極接觸的氧化物材料。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人美光科技公司，其通訊地址為：美國愛達荷州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。