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龍圖騰網(wǎng)恭喜意法半導體(魯塞)公司申請的專利形成半導體器件的結構和方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN112447592B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010915312.0，技術領域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權形成半導體器件的結構和方法是由F·拉羅薩;S·尼埃爾;A·雷尼耶設計研發(fā)完成，并于2020-09-03向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本形成半導體器件的結構和方法在說明書摘要公布了：本公開涉及形成半導體器件的結構和方法。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，制造半導體器件的方法包括同時蝕刻半導體層和導電層來形成被設置在絕緣層的自對準二極管區(qū)域，其中半導體層具有第一導電類型。方法還包括穿過掩模層的第一開口進行蝕刻，以在半導體層上形成第一注入表面，并在半導體層之上形成包括導電層的導電材料的多個突起區(qū)域。方法還包括使用多個突起區(qū)域作為第一注入掩模的一部分，執(zhí)行將具有第二導電類型的摻雜劑注入半導體層中的第一注入，以在半導體層中形成PN結序列，PN結序列形成二極管。二極管從半導體層的上表面豎直延伸至絕緣層。

本發(fā)明授權形成半導體器件的結構和方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：同時蝕刻半導體層和導電層來形成被設置在絕緣層上的自對準二極管區(qū)域，所述半導體層具有第一導電類型；穿過掩模層的第一開口進行蝕刻，以在所述半導體層上形成第一注入表面，并在所述半導體層之上形成多個突起區(qū)域，所述多個突起區(qū)域包括所述導電層的導電材料；以及使用所述多個突起區(qū)域作為第一注入掩模的一部分，執(zhí)行將具有第二導電類型的摻雜劑注入到所述半導體層中的第一注入，以用于在所述半導體層中形成PN結序列，所述PN結序列形成二極管，所述二極管從所述半導體層的上表面垂直延伸到所述絕緣層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人意法半導體(魯塞)公司，其通訊地址為：法國魯塞；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。