恭喜意法半導體(魯塞)公司F·拉羅薩獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜意法半導體(魯塞)公司申請的專利形成半導體器件的結構和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112447592B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010915312.0，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權形成半導體器件的結構和方法是由F·拉羅薩;S·尼埃爾;A·雷尼耶設計研發完成，并于2020-09-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本形成半導體器件的結構和方法在說明書摘要公布了：本公開涉及形成半導體器件的結構和方法。根據本發明的一個實施例，制造半導體器件的方法包括同時蝕刻半導體層和導電層來形成被設置在絕緣層的自對準二極管區域，其中半導體層具有第一導電類型。方法還包括穿過掩模層的第一開口進行蝕刻，以在半導體層上形成第一注入表面，并在半導體層之上形成包括導電層的導電材料的多個突起區域。方法還包括使用多個突起區域作為第一注入掩模的一部分，執行將具有第二導電類型的摻雜劑注入半導體層中的第一注入，以在半導體層中形成PN結序列，PN結序列形成二極管。二極管從半導體層的上表面豎直延伸至絕緣層。
本發明授權形成半導體器件的結構和方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：同時蝕刻半導體層和導電層來形成被設置在絕緣層上的自對準二極管區域，所述半導體層具有第一導電類型；穿過掩模層的第一開口進行蝕刻，以在所述半導體層上形成第一注入表面，并在所述半導體層之上形成多個突起區域，所述多個突起區域包括所述導電層的導電材料；以及使用所述多個突起區域作為第一注入掩模的一部分，執行將具有第二導電類型的摻雜劑注入到所述半導體層中的第一注入，以用于在所述半導體層中形成PN結序列，所述PN結序列形成二極管，所述二極管從所述半導體層的上表面垂直延伸到所述絕緣層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體(魯塞)公司，其通訊地址為：法國魯塞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號