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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114141701B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010923861.2，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構及其形成方法是由呼翔設計研發完成，并于2020-09-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底、柵極結構、位于柵極結構的頂部上的柵極蓋帽層、位于柵極結構兩側的基底中的源漏摻雜區、以及位于柵極結構側部基底上的底部介質層；形成貫穿源漏摻雜區頂部的底部介質層的源漏互連層，源漏互連層的頂面與相鄰柵極蓋帽層圍成凹槽，用于形成源漏蓋帽層；通過凹槽對柵極蓋帽層的側壁進行離子摻雜，適于提高源漏蓋帽層和柵極蓋帽層之間的刻蝕選擇比；進行離子摻雜后，在凹槽中形成源漏蓋帽層；形成覆蓋柵極蓋帽層和源漏蓋帽層的頂部介質層；形成貫穿頂部介質層和源漏蓋帽層的源漏接觸孔；在源漏接觸孔中形成源漏插塞。本發明實施例降低源漏插塞與相鄰的柵極結構之間發生短接或擊穿的概率。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有柵極結構，所述柵極結構的頂部上形成有柵極蓋帽層，所述柵極結構兩側的基底中形成有源漏摻雜區，所述柵極結構和柵極蓋帽層側部的基底上形成有覆蓋源漏摻雜區的底部介質層；形成貫穿所述源漏摻雜區頂部的底部介質層的源漏互連層，與所述源漏摻雜區相接觸，所述源漏互連層的頂面低于所述底部介質層的頂面，所述源漏互連層的頂面與相鄰所述柵極蓋帽層圍成凹槽，所述凹槽用于形成源漏蓋帽層；通過所述凹槽，對所述柵極蓋帽層的側壁進行離子摻雜，適于提高源漏蓋帽層和所述柵極蓋帽層之間的刻蝕選擇比；進行離子摻雜后，在所述凹槽中形成源漏蓋帽層；在所述底部介質層上形成覆蓋所述柵極蓋帽層和源漏蓋帽層的頂部介質層；形成貫穿所述頂部介質層和源漏蓋帽層的源漏接觸孔，暴露出所述源漏互連層；在所述源漏接觸孔中形成與所述源漏互連層相接觸的源漏插塞。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。