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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112635421B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011001038.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/482；該發(fā)明授權(quán)封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法是由郭宏瑞;蔡惠榕;彭竣翔設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種封裝結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)半導(dǎo)體管芯、絕緣密封體及重布線結(jié)構(gòu)。所述至少一個(gè)半導(dǎo)體管芯具有多個(gè)導(dǎo)電柱，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱的頂表面具有第一粗糙度。絕緣密封體包封所述至少一個(gè)半導(dǎo)體管芯。重布線結(jié)構(gòu)在積層方向上設(shè)置在絕緣密封體上且電連接到所述至少一個(gè)半導(dǎo)體管芯。重布線結(jié)構(gòu)包括：多個(gè)導(dǎo)通孔部及多個(gè)導(dǎo)電體部，嵌置在介電層中，其中所述多個(gè)導(dǎo)電體部的頂表面具有第二粗糙度，且第二粗糙度大于第一粗糙度。

本發(fā)明授權(quán)封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：至少一個(gè)半導(dǎo)體管芯，具有多個(gè)導(dǎo)電柱，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的至少一者的頂表面具有第一粗糙度；絕緣密封體，包封所述至少一個(gè)半導(dǎo)體管芯；重布線結(jié)構(gòu)，在積層方向上設(shè)置在所述絕緣密封體上，其中所述重布線結(jié)構(gòu)電連接到所述至少一個(gè)半導(dǎo)體管芯且包括：多個(gè)導(dǎo)通孔部及多個(gè)導(dǎo)電體部，嵌置在介電層中，其中所述多個(gè)導(dǎo)電體部的頂表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度，其中所述多個(gè)導(dǎo)通孔部包括第一通孔部，且所述第一通孔部的側(cè)向尺寸在所述積層方向上從所述第一通孔部的第一端到所述第一通孔部的第二端保持恒定，且所述第一通孔部的所述第二端的表面具有第三粗糙度，且所述第三粗糙度小于所述第二粗糙度。

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