恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司郭宏瑞獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利封裝結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112635421B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011001038.2，技術領域涉及：H01L23/482；該發明授權封裝結構及其制作方法是由郭宏瑞;蔡惠榕;彭竣翔設計研發完成，并于2020-09-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本封裝結構及其制作方法在說明書摘要公布了：一種封裝結構包括至少一個半導體管芯、絕緣密封體及重布線結構。所述至少一個半導體管芯具有多個導電柱，其中所述多個導電柱的頂表面具有第一粗糙度。絕緣密封體包封所述至少一個半導體管芯。重布線結構在積層方向上設置在絕緣密封體上且電連接到所述至少一個半導體管芯。重布線結構包括：多個導通孔部及多個導電體部，嵌置在介電層中，其中所述多個導電體部的頂表面具有第二粗糙度，且第二粗糙度大于第一粗糙度。
本發明授權封裝結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種封裝結構，包括：至少一個半導體管芯，具有多個導電柱，其中所述多個導電柱中的至少一者的頂表面具有第一粗糙度；絕緣密封體，包封所述至少一個半導體管芯；重布線結構，在積層方向上設置在所述絕緣密封體上，其中所述重布線結構電連接到所述至少一個半導體管芯且包括：多個導通孔部及多個導電體部，嵌置在介電層中，其中所述多個導電體部的頂表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度，其中所述多個導通孔部包括第一通孔部，且所述第一通孔部的側向尺寸在所述積層方向上從所述第一通孔部的第一端到所述第一通孔部的第二端保持恒定，且所述第一通孔部的所述第二端的表面具有第三粗糙度，且所述第三粗糙度小于所述第二粗糙度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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