恭喜東北師范大學劉益春獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜東北師范大學申請的專利一種光控人工突觸器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115132919B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110327791.9，技術領域涉及：H10N70/00；該發明授權一種光控人工突觸器件及其制備方法是由劉益春;王中強;單旋宇;付申成;張昕彤;徐海陽設計研發完成，并于2021-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種光控人工突觸器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種光控人工突觸器件及其制備方法，其光控人工突觸器件包括：惰性電極；透明電極；光電憶阻層，光電憶阻層設置在透明電極與惰性電極之間，其用于模擬突觸。本發明的光控人工突觸器件可以在惰性電極施加正電壓，透明電極接地，光電憶阻層在電場作用下形成導電通道，電導上升，在紫外光和可見光的調控下實現光門控的可逆激活抑制。本發明的光控人工突觸器件為兩端結構，結構簡單，器件尺寸可降至納米量級，功耗小，借助于可見紫外光信號能夠實現對電導變化范圍的可逆調節，為實現光電類腦計算系統提供了器件基礎。由于可以基于常見材料復合實現光、電、溫度、濕度的多維度調節，在未來的新型光電材料領域有著良好應用前景。
本發明授權一種光控人工突觸器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種光控人工突觸器件，其特征在于，包括：惰性電極1；透明電極2；光電憶阻層3，所述光電憶阻層3設置在所述透明電極2與所述惰性電極1之間，其用于模擬突觸；所述光電憶阻層3為多孔氧化鈦摻雜銀納米顆粒復合薄膜；所述光電憶阻層3中的銀納米顆粒31為球型，且直徑為11±4nm；所述多孔氧化鈦摻雜銀納米顆粒復合薄膜的銀納米顆粒在第一方向上的數量呈減小分布；所述第一方向為所述光電憶阻層3上靠近所述惰性電極1的一端到靠近所述透明電極2的一端的垂直方向。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東北師范大學，其通訊地址為：130024 吉林省長春市人民大街5268號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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