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龍圖騰網恭喜湖北九峰山實驗室申請的專利多級溝槽肖特基二極管及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114141885B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111667374.5，技術領域涉及：H10D8/60；該發明授權多級溝槽肖特基二極管及其制作方法是由袁俊設計研發完成，并于2021-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本多級溝槽肖特基二極管及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種多級溝槽肖特基二極管及其制作方法，肖特基二極管包括：外延片，包括半導體基底以及位于半導體基底表面上的外延層；設置在外延層背離半導體基底一側的深溝槽，包括在第一方向上依次排布的多個子溝槽；第一方向為深溝槽的開口指向底部的方向；相鄰的兩個子溝槽中，靠近深溝槽底部的子溝槽的寬度小于遠離深溝槽底部的子溝槽的寬度；深溝槽的側壁以及底部具有摻雜層；外延層背離半導體基底一側表面內具有包圍深溝槽開口的電場緩沖區，與摻雜層接觸；位于半導體基底背離外延層一側的陰極；位于深溝槽內的填充結構以及陽極，填充結構位于陽極與深溝槽的底部之間；摻雜層以及電場緩沖區均是與外延層反型摻雜。

本發明授權多級溝槽肖特基二極管及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種多級溝槽肖特基二極管，其特征在于，包括：外延片，所述外延片包括半導體基底以及位于所述半導體基底表面上的外延層；設置在所述外延層背離所述半導體基底一側的深溝槽；所述深溝槽包括在第一方向上依次排布的多個子溝槽；所述第一方向為所述深溝槽的開口指向底部的方向；相鄰的兩個子溝槽中，靠近所述深溝槽底部的子溝槽的寬度小于遠離所述深溝槽底部的子溝槽的寬度；所述深溝槽的側壁以及底部具有摻雜層；所述外延層背離所述半導體基底一側表面內具有包圍所述深溝槽開口的電場緩沖區，所述電場緩沖區與所述摻雜層接觸；位于所述半導體基底背離所述外延層一側的陰極；位于所述深溝槽內的填充結構以及陽極，所述填充結構位于所述陽極與所述深溝槽的底部之間；其中，所述摻雜層以及所述電場緩沖區均是與所述外延層反型摻雜；在所述第一方向上，所述深溝槽包括：第一部分深溝槽和第二部分深溝槽；所述陽極填充所述第一部分深溝槽，與所述第一部分深溝槽的側壁歐姆接觸，所述陽極還延伸至所述深溝槽的外部，覆蓋所述外延層背離所述半導體基底的部分表面；所述填充結構填充所述第二部分深溝槽；所述深溝槽具有n個所述子溝槽，n為大于1的正整數；在所述第一方向上，所述第一部分深溝槽至少包括前n-1個子溝槽；在所述第一方向上，所述第一部分深溝槽還包括部分第n個子溝槽。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430070 湖北省武漢市東湖高新技術開發區未來科技城B4-5樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。